[发明专利]一种图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910400420.1 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110098212A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 沈新林;王海宽;洪波;郭松辉;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 白色像素 介质层 光反射层 衬底 半导体 像素区域 制作 半导体器件 感光元件 进光量 白光 反射 申请 饱和 图像 制造 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上像素区域，所述一个以上像素区域包括白色像素区域；
第二介质层，位于所述半导体衬底上；
光反射层，所述光反射层位于所述第二介质层中，位置对应于所述白色像素区域。
2.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述光反射层的表面与所述第二介质层的表面平齐并且所述光反射层的厚度小于所述第二介质层的厚度。
3.如权利要求2所述图像传感器，其特征在于，所述光反射层的反射率大于所述第二介质层的反射率。
4.如权利要求3所述图像传感器，其特征在于，所述光反射层材料的反射率为0.1至0.6。
5.如权利要求4所述图像传感器，其特征在于，所述光反射层为SiC，α-Si，α-C，TiC，TiN中的任意一种或者多种的组合。
6.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述光反射层的厚度为5nm至50nm。
7.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述第二介质层与所述半导体衬底之间还包括第一介质层。
8.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供形成有感光元件的半导体衬底，所述半导体衬底包括一个以上像素区域，所述一个以上像素区域包括白色像素区域；
在所述半导体衬底上形成第二介质层；
在所述第二介质层内形成沟槽，所述沟槽的位置对应于所述白色像素区域；
在所述沟槽内填充光反射层。
9.如权利要求8所述图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述第二介质层内形成沟槽，所述沟槽的位置对应于所述白色像素区域的步骤包括：
在所述第二介质层上依次形成抗反射层和光阻层，并在所述光阻层和抗反射层上定义出白色像素区域；
以所述光阻层和抗反射层为掩膜，刻蚀所述第二介质层形成沟槽；
去除所述光阻层和抗反射层。
10.如权利要求8所述图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内填充光反射层的步骤包括：
在所述第二介质层表面以及所述沟槽内形成光反射层材料；
采用研磨工艺去除所述第二介质层表面的光反射层材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
