[发明专利]一种隔离槽的制造方法及其应用

说明书

本发明提出一种隔离槽的制造方法及其应用，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；通过多次曝光形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露所述衬底；其中，进行多次曝光时，第二次曝光时光罩与光阻层之间的距离大于第一次曝光时光罩与光阻层之间的距离。本发明提出的隔离槽的制造方法能够提供高压发光二极管芯片的产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种隔离槽的制造方法及其应用。

背景技术

近年来，发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)作为新一代绿色光源，广泛应用于照明、背光、显示、指示等领域。高压LED芯片包括至少两个串联的子芯片，各个子芯片均包括N型层、有源层和P型层。

高压LED芯片由多个小功率LED串联成的一颗集成式的发光二极管芯片，具有高抗静电能力、高发光效率和节约封装厂打线成本等优点，在芯片领域的地位逐渐显现。由于其高压产品生产流程及工艺的特殊性，导致其制造良率低、一致性差。特别是高压LED芯片中隔离槽的制造过程难以控制，导致高压LED芯片的良率下降。

发明内容

为解决上述现有技术的问题，本发明提出一种隔离槽的制造方法，以优化隔离槽的制程，提高发光二极管芯片的产品良率。

为实现上述目的或其他目的，本发明提出一种隔离槽的制造方法，至少包括：

提供一衬底；

形成外延结构于所述衬底上；

通过多次曝光形成图案化光阻层于所述衬底上；

移除部分所述外延结构，形成隔离槽，所述隔离槽暴露所述衬底；

其中，进行多次曝光时，第一次曝光完成后进行第二次曝光，所述第二次曝光时光罩与光阻层之间的距离大于所述第一次曝光时光罩与光阻层之间的距离。

在一实施例中，第一次曝光时，所述光罩与所述光阻层之间的距离小于或等于70微米。

在一实施例中，第二次曝光时，所述光罩与所述光阻层之间的距离大于或等于90微米。

在一实施例中，所述隔离槽包括倒梯形状。

在一实施例中，所述隔离槽的底部，所述隔离槽的斜面以及部分所述外延结构形成了桥接处。

在一实施例中，所述隔离槽的斜面与所述衬底的夹角小于或等于45°。

本发明还提出一种发光二极管芯片，包括：

衬底；

外延结构，设置在所述衬底上，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；

电流阻挡层，设置在所述外延结构上；

电流扩展层，设置在所述电流阻挡层上；

凹槽，设置在所述衬底上，所述凹槽暴露所述第二半导体层，所述凹槽与所述电流扩展层之间包括一间隔平台；

隔离槽，设置在所述衬底上，所述隔离槽暴露所述衬底；

电极，设置在所述外延结构上，所述电极包括第一金属电极，第二金属电极，第三金属电极，所述第二金属电极位于所述隔离槽上。

在一实施例中，所述发光二极管芯片至少包括一个所述隔离槽。

在一实施例中，所述隔离槽位于所述凹槽内。

在一实施例中，所述隔离槽的深度大于所述凹槽的深度。

在一实施例中，第二金属电极位于所述桥接处上。