[发明专利]一种用于切割晶片的刀具及切割方法有效
申请号: | 201910400682.8 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110091442B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 宋闯;黄高;田茂 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/78;B28D5/02;B28D7/00 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 李镝的 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 切割 晶片 刀具 方法 | ||
1.一种用于切割晶片的刀具,包括:
第一刀片,其具有由具有第一尺寸的颗粒物制成的表面;
第二刀片,其布置在第一刀片的第一侧,使得第二刀片至少部分地覆盖第一刀片的第一侧,其中所述第二刀片具有由具有第二尺寸的颗粒物制成的表面并且其中第二尺寸小于第一尺寸;以及
第三刀片,其布置在第一刀片的第二侧,使得第三刀片至少部分地覆盖第一刀片的第二侧,其中所述第三刀片具有由具有第三尺寸的颗粒物制成的表面,并且其中第三尺寸小于第一尺寸,其中第一刀片突出于第二刀片和第三刀片,其中第一、第二和第三刀片的端部彼此平缓过渡以形成刀具的弧形端部,并且其中所述晶片包括用于用所述刀具进行切割的划片槽,并且其中所述划片槽包括由与晶片的材料不同的材料制成的隔离结构,并且第一刀片的厚度对应于隔离结构之间的距离,并且第二刀片和第三刀片的厚度分别对应于相应的隔离结构的厚度。
2.根据权要求1所述的刀具,其中所述隔离结构的材料包括下列各项中的一个或多个:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、以及碳氮氧化硅。
3.根据权要求1所述的刀具,其中所述颗粒物为砂砾。
4.根据权要求1所述的刀具,其中所述刀具为具有居中圆孔的环形。
5.根据权要求1所述的刀具,其中在所述晶片上形成有图像传感器芯片。
6.根据权要求1所述的刀具,其中在所述划片槽的两侧设置有保护环。
7.一种晶片切割装置,其具有根据权利要求1至6之一所述的刀具。
8.一种用于使用根据权利要求1至6之一所述的刀具切割晶片的方法,包括下列步骤:
将刀具的第一刀片对准晶片的切割位置;以及
使用刀具切割晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造