[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法

权利要求书

1.一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；

步骤二、采集原始版图数据；

步骤三、在光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变所述曝光后烘烤的温度并得到和每一个所述曝光后烘烤的温度相对应的光刻图形，根据对应的所述光刻图形对所述原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；

步骤四、对各所述OPC修正结果进行比较，选取最佳的所述OPC修正结果，之后再以所选取的最佳的所述OPC修正结果对应的所述曝光后烘烤的温度为所述曝光后烘烤的理论最佳温度，由所述理论最佳温度确定所述曝光后烘烤的最佳温度。

2.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于，还包括步骤：

步骤五、对所述曝光后烘烤的理论最佳温度进行实际验证，验证步骤包括：

采用所述理论最佳温度来曝光实际的晶圆并得到对应的光刻图形，并检查所述晶圆上的光刻图形的关键尺寸是否与最佳的关键尺寸值是否一致，如果一致，即将所述理论最佳温度确定为所述最佳温度。

3.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于，步骤三中采用如下分步骤得到所述OPC修正结果：

步骤31、对相应的所述曝光后烘烤的温度的所述光刻图形进行数据采集；

步骤32、根据步骤31的数据采集建立相应的所述曝光后烘烤的温度的OPC模型；

步骤33、根据步骤32得到的所述OPC模型对所述原始版图进行OPC修正得到所述曝光后烘烤的温度对应的OPC修正结果。

4.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤一中所述光刻工艺包括步骤：表面预处理、涂胶、前烘、曝光、曝光后烘烤、显影和后烘；所述表面预处理包括表面清洗和脱水烘烤，增粘处理。

5.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤二中原始版图数据为GDS文件数据。

6.如权利要求5所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：所述GDS文件数据为GDSⅡ文件数据。

7.如权利要求1或5或6所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤二中还包括对采集的所述原始版图数据进行设计规则检查的步骤。

8.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤三所述曝光后烘烤的上限温度为保证所述OPC修正结果在正常范围的最大温度。

9.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤三所述曝光后烘烤的上限温度为保证所述OPC修正结果在正常范围的最小温度。

10.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤三中采用从所述下限温度开始采用等间隔逐渐递增的方法改变所述曝光后烘烤的温度。

11.如权利要求10所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤三中所述曝光后烘烤的温度的逐渐递增间隔为10℃。

12.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤三中采用从所述上限温度开始采用等间隔逐渐递减的方法改变所述曝光后烘烤的温度。

13.如权利要求1所述的光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于：步骤四中的所述比较是对所述OPC修正结果的边缘位置误差或设计规则检查的结果进行比较。