[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

第一导电型的半导体基板；以及

霍尔元件，被设置于所述半导体基板，

所述半导体装置的特征在于，

所述霍尔元件具备：

磁感受部，由在所述半导体基板设置的第二导电型的杂质扩散层构成，在俯视下具有四个端部；以及

四个电极，在所述磁感受部的表面由在所述四个端部的各个设置的比所述磁感受部高浓度的第二导电型的杂质扩散层构成，

作为所述磁感受部的杂质扩散层离所述半导体基板的表面具有第一深度，具有第二导电型的杂质浓度从所述半导体基板的表面起到比所述第一深度浅的第二深度为止朝向深度方向变高的第一浓度梯度，具有第二导电型的杂质浓度从所述第二深度起到所述第一深度为止朝向深度方向变低的第二杂质梯度，所述第二深度为所述第一深度的一半以下，所述第一浓度梯度比所述第二浓度梯度陡峭。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述磁感受部中的第二导电型的杂质浓度在离所述半导体基板的表面的深度为400nm至800nm之间具有峰值，该峰值的浓度为1×10¹⁶atoms/cm³至1×10¹⁷atoms/cm³之间，所述磁感受部的深度为2~5μm。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述磁感受部在俯视下具有正方形状或十字形。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述磁感受部在俯视下具有正方形状或十字形。

5.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备包围所述磁感受部的周围且以与所述磁感受部分开的方式设置于所述半导体基板的、比所述半导体基板高浓度的第一导电型的元件分离扩散层。

6.根据权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板和所述磁感受部的表面除了设置有所述电极的区域之外被绝缘膜覆盖。