[发明专利]一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路

权利要求书

1.一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路，其特征在于，包括：反向开关晶体管RSD、反向阻断双端固态晶闸管RBDT和外围电路；

所述外围电路包括：充电电路、储释能电容C1、储释能电感L1、电阻R4、储释能电感L2、储释能电感L3和触发电路；

储释能电感L2的一端连接反向阻断双端固态晶闸管RBDT的阳极，储释能电感L2的另一端连接至电阻R4的一端，电阻R4的另一端通过储释能电感L1接地；储释能感L3的一端与反向开关晶体管RSD的阴极连接，储释能感L3的另一端接地；

充电电路用于给储释能电容C1充电；

所述充电电路包括：电阻R1、开关器件Q1、二极管D2、电阻R3、二极管D5和电阻R2；

所述电阻R1的一端连接直流电源的正极，所述电阻R1的另一端连接至开关器件Q1的一端，开关器件Q1的另一端连接至反向开关晶体管RSD的阳极；

二极管D2的阳极连接至开关器件Q1的另一端，二极管D2的阴极通过电阻R3连接至所述储释能电容C1的一端；

二极管D5的阳极连接至所述储释能电容C1的另一端，二极管D5的阴极通过电阻R2连接至所述电阻R4的一端；

当需要触发所述反向开关晶体管RSD时，利用所述外围电路中的电容储能与电感储能的交替使所述反向开关晶体管RSD在没有磁开关的前提下正常触发开通；

触发电路用于快速触发所述反向阻断双端固态晶闸管RBDT成为导通状态；

所述触发电路包括：开关器件Q2、开关器件Q3、二极管D3和二极管D4；

所述开关器件Q2的一端连接至反向开关晶体管RSD的阳极，所述开关器件Q2的另一端连接至所述储释能电容C1的另一端，所述二极管D3与所述开关器件Q2并联连接；

所述开关器件Q3的一端连接至所述储释能电容C1的一端，所述开关器件Q3的另一端连接至所述电阻R4的一端，所述二极管D4与所述开关器件Q3并联连接；

所述反向阻断双端固态晶闸管RBDT用于通过将电容中的部分能量转移到电感储能支路中，防止触发RSD时的反向电流过大。

2.如权利要求1所述的脉冲功率发生电路，其特征在于，所述二极管D5和电阻R2的作用与所述二极管D2和电阻R3的作用相同，均用于保证电容C1在充电阶段正常充电，在其他阶段不起作用。

3.如权利要求2所述的脉冲功率发生电路，其特征在于，所述二极管D5和电阻R2、所述二极管D2和电阻R3均可以采用开关器件替换。

4.如权利要求1-3任一项所述的脉冲功率发生电路，其特征在于，所述脉冲功率发生电路包括多个RBDT并联或串联或串并联混合来实现对电压或电流的要求。

5.如权利要求1-3任一项所述的脉冲功率发生电路，其特征在于，所述脉冲功率发生电路包括多个RSD并联或串联或串并联混合来实现对电压或电流的要求。

6.如权利要求1所述的脉冲功率发生电路，其特征在于，所述开关器件Q1为晶闸管或IGBT或其他本质为开关的器件。

7.如权利要求1所述的脉冲功率发生电路，其特征在于，所述开关器件Q2或开关器件Q3为晶闸管或IGBT或其他本质为开关的器件。