[发明专利]隔离结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910401732.4 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110120365A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离结构 衬垫氧化层 离子注入区 多孔硅层 硬掩膜层 衬底 半导体 开口 第一表面 工艺流程 隔离部 光罩 刻蚀 生产成本 离子 腐蚀 节约 申请 优化 | ||
1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底的第一表面上依次形成第一衬垫氧化层和第一硬掩膜层；
刻蚀所述第一硬掩膜层和所述第一衬垫氧化层形成开口；
通过所述开口进行第一离子注入，在所述半导体衬底中形成第一离子注入区；
腐蚀所述第一离子注入区形成多孔硅层；
氧化所述多孔硅层形成第一隔离部。
2.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，通过所述开口进行第一离子注入，在所述半导体衬底中形成第一离子注入区后，退火。
3.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述第一隔离部以及第一硬掩膜层上沉积第二隔离材料，所述第二隔离材料填满所述开口；
去除所述第一硬掩膜层上的第二隔离材料，所述开口内的第二隔离材料形成第二隔离部；
去除所述第一衬垫氧化层和第一硬掩膜层，所述第一隔离部和第二隔离部共同构成所述隔离结构。
4.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，通过电化学腐蚀工艺腐蚀所述第一离子注入区形成多孔硅层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述开口用于定义深沟槽隔离结构或者浅沟槽隔离结构或者金属互连通孔。
6.如权利要求1至4中任一项所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口用于定义深沟槽隔离结构或者浅沟槽隔离结构，所述第二开口用于定义金属互连通孔。
7.如权利要求6所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
在所述半导体衬底的第一表面形成器件层以及金属布线层；
减薄所述半导体衬底的第二表面至暴露出所述隔离结构；
在所述半导体衬底的第二表面以及隔离结构上依次形成第二衬垫氧化层和第二硬掩膜层；
刻蚀所述第二硬掩膜层和所述第二衬垫氧化层形成第三开口，所述第三开口的位置对应于所述第二开口定义的隔离结构的位置；
去除所述第三开口位置对应的隔离结构，形成金属互连通孔。
8.如权利要求1至4中任一项所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，第一离子注入区的深度为2.0微米至4.0微米。
9.如权利要求1至4中任一项所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，进行第一离子注入的注入离子为P型离子。
10.如权利要求9所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述P型离子的掺杂浓度范围为1E11/cm3～2E16/cm3。
11.一种隔离结构，其特征在于，采用权利要求1至4中的任意一种方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
