[发明专利]一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法

权利要求书

1.一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）半导体纳米晶的制备：半导体纳米晶包括液相反应制备的尺寸、形貌单分散的量子点、掺杂量子点和异质结构纳米晶；采用热注射法或低温阳离子交换法制备而成，并且通过调控表面配体使半导体纳米晶分散到不同溶剂中；

（2）3D打印浆料配制：将半导体纳米晶分散于有机溶剂或者无机溶剂中得到半导体纳米晶溶胶，将所述溶胶与聚乳酸均匀混合，得到3D打印浆料；

（3）3D打印柔性基质半导体纳米晶器件：通过直写3D打印技术对所得到的浆料进行三维结构成型，形成半导体纳米晶器件半成品，根据不同的需求设计不同的路径角度，能够实现对特定点，特定面上性能的控制，构造各向异性器件；

（4）柔性基质半导体纳米晶器件固化：对所述半导体纳米晶器件半成品进行烘干，以使其固化形成稳定的半导体纳米晶器件；

正三角形器件端点处荧光强度是侧边处的六倍左右，正四边形端点处荧光强度是侧壁处的四倍左右，正六边形端点处荧光强度是侧边处荧光强度二倍左右，荧光强度与多变形角度呈现线性关系，从而达到了可控荧光的效果；平行于打印方向上的荧光强度是垂直于打印方向上的荧光强度的二倍。

2.如权利要求1所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的半导体纳米晶为液相法制备的Ag掺杂CdS，Cu掺杂CdS，Ag掺杂CdSe, Cu掺杂CdSe，Ag掺杂ZnS，Cu掺杂ZnS，Au-Hg_xCd_1-xTe核壳纳米晶，Au-CdS核壳纳米晶。

3.如权利要求1所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：通过添加固化剂使得到的柔性半导体纳米晶器件能够维持稳定的形状；在配置具有流变性质的柔性基质时添加固化剂；添加的固化剂与柔性基质的质量比不大于10%。

4.如权利要求1所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：所述半导体纳米晶溶胶中的半导体纳米晶浓度为10 wt%至99 wt%；所述半导体纳米晶溶胶与柔性基质的质量比不大于10%。

5.如权利要求1所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：步骤（3）中通过喷头进行直写3D打印，所述喷头直径范围为0.01~0.5 mm根据实际需要打印精度，选取相应尺寸的喷头；打印速度在5~20 mm/s之间。

6.如权利要求5所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：所述喷头直径范围为0.01~0.5 mm时打印平台和喷嘴距离选择0.02~0.4 mm。

7.如权利要求5所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：喷头直径0.2 mm条件下，打印平台高度和喷嘴距离为0.16 mm。

8.如权利要求5所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：所述打印速度为10 mm/s。

9.如权利要求1所述的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：所述路径：针对不同的需求，通过设计不同的打印路径，或者构造不同的打印角度实现对器件在某一点或某一面的定量增强，并且打印路径的角度越小，增强效果越明显，从而实现对性能的调控。