[发明专利]高温静电吸盘

权利要求书

1.一种基板支撑件，包括：

温度控制基部；

介电主体，在所述介电主体上具有基板卡紧表面，所述基板卡紧表面部分地由壁架限定，所述壁架围绕所述介电主体的周边形成；

电极，所述电极设置在所述介电主体内；和

多个特征，所述多个特征以同心圆形成在所述壁架的径向内侧，其中每单位面积的特征的数量从所述基板卡紧表面的中心到所述壁架径向地增加，使得施加到设置在所述介电主体的所述基板卡紧表面上的基板的卡紧力朝向所述基板的周边增加。

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个特征中的每个特征具有在1mm与2mm之间的直径。

3.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个特征中的每个特征具有在10微米至50微米之间的高度。

4.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述多个特征包括约1000个特征。

5.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包括温度控制装置，所述温度控制装置设置在所述介电主体中。

6.如权利要求1所述的基板支撑件，其中所述介电主体具有在15毫安与115毫安之间的泄漏电流。

7.一种基板支撑件，包括：

介电主体，在所述介电主体上具有基板卡紧表面，所述基板卡紧表面部分地由壁架限定，所述壁架围绕所述介电主体的周边形成；

电极，所述电极设置在所述介电主体内；

多个特征，所述多个特征以同心圆形成在所述壁架的径向内侧，其中每单位面积的特征的数量从所述基板卡紧表面的中心到所述壁架径向地增加，使得施加到设置在所述介电主体的所述基板卡紧表面上的基板的卡紧力朝向所述基板的周边增加；和

调配层，所述调配层形成在所述介电主体上，所述调配层耐受因暴露于处理化学物质下而造成的降解。

8.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述多个特征中的每个特征具有在1mm与2mm之间的直径。

9.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述多个特征中的每个特征具有在10微米至50微米之间的高度。

10.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述调配层具有在0.5微米至10微米之间的厚度。

11.如权利要求7所述的基板支撑件，其中所述调配层包括氧化硅。

12.如权利要求7所述的基板支撑件，进一步包括温度控制装置，所述温度控制装置设置在所述介电主体中。

13.一种基板支撑件，包括：

介电主体，在所述介电主体上具有基板卡紧表面，所述基板卡紧表面部分地由壁架限定，所述壁架围绕所述介电主体的周边形成；

电极，所述电极设置在所述介电主体内；和

多个特征，所述多个特征以同心圆形成在所述基板卡紧表面上，其中所述多个特征在所述基板卡紧表面的周边处的每单位面积的分布大于在所述基板卡紧表面的中心区域处的每单位面积的分布，使得施加到设置在所述介电主体的所述基板卡紧表面上的基板的卡紧力朝向所述基板的周边增加，并且其中所述介电主体具有相对于所述基板支撑件的操作温度选择的电阻率。

14.如权利要求13所述的基板支撑件，其中所述多个特征中的每个特征具有在1mm与2mm之间的直径。

15.如权利要求13所述的基板支撑件，其中所述多个特征中的每个特征具有在10微米至50微米之间的高度。

16.如权利要求13所述的基板支撑件，其中所述多个特征包括约1000个特征。