[发明专利]一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910402810.2 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110085371A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李秀平;王小仪;那兆霖;刘程;刘文韬 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;C25D3/46;C25D5/54 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米银 导电层 基底 制备 柔性导电材料 电化学沉积 耐高温 耐热性 电子材料技术 导电性 导电层表面 加热使溶剂 饱和硫酸 成膜条件 出纳米银 高温条件 混合溶液 计时电流 加热平板 电解液 汞电极 溶液滴 挥发 铂丝 参比 朝上 旋涂 配制 嵌入 | ||
1.一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
S1.将ITO玻璃分别用去离子水，丙酮，乙醇溶液超声清洗20-50分钟，再用氮气将ITO导电面吹干备用；
S2.在S1处理后的ITO玻璃上采用计时电流方法进行电化学沉积银，所用电解液为AgNO3和NaNO3混合溶液，参比电极为饱和硫酸亚汞电极，对电极为铂丝，工作电极为ITO玻璃，经过电化学沉积后得到纳米银导电层ITO-Ag；
S3.配制PEAK溶液，将步骤S2制备的ITO-Ag放在加热平板上，纳米银导电层朝上，将PEAK溶液均匀滴涂或旋涂在纳米银导电层表面，在加热平板上将溶剂挥发揭膜得到PEAK-Ag。
2.根据权利要求1所述的一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中电化学沉积时间为400s-6000s，所采用电解液混合溶液中AgNO3浓度为0.004-0.05mol/L，NaNO3浓度为0.009-0.15mol/L，电化学沉积设定的电位范围为-0.65V-(-0.25V)。
3.根据权利要求1所述的一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中PEAK溶液的溶剂为NMP、DMAc、DMSO中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料的制备方法，其特征在于，步骤S3中PEAK溶液的浓度为4wt％-25wt％，旋涂转速为500-2000rps，放在加热平板烘的时间长度为3-36小时，加热平板加热温度为30-90℃。
5.一种以PEAK为基底的耐高温柔性导电材料，其特征在于，该导电材料使用权利要求1所述的方法制备。
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