[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910403108.8 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110034124A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 刘毅华;刘峻;范鲁明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡层 堆叠层 衬底 沟道 刻蚀 去除 绝缘层 刻蚀停止层 后续工艺 交替层叠 器件性能 牺牲层 制造 损伤 申请 | ||
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有阻挡层和第一堆叠层，所述第一堆叠层由绝缘层和牺牲层交替层叠而成；
以所述阻挡层作为刻蚀停止层，对所述第一堆叠层进行刻蚀形成沟道孔；
去除所述沟道孔底部的阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底和所述阻挡层之间还形成有所述第二堆叠层，所述第二堆叠层包括依次形成的绝缘层和牺牲层，所述方法还包括：
去除所述沟道孔底部的第二堆叠层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二堆叠层为下选择管BSG层。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：
以所述阻挡层作为刻蚀停止层，对所述第一堆叠层进行刻蚀形成共源极沟槽；
去除所述共源极沟槽中的阻挡层。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：
对所述沟道孔底部的衬底通过离子注入掺杂。
7.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：
衬底；
所述衬底上依次形成的阻挡层以及第一堆叠层，所述第一堆叠层由绝缘层和栅极层交替层叠而成；
贯穿所述第一堆叠层和所述阻挡层的沟道孔以及共源极沟槽。
8.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，所述阻挡层为多晶硅层。
9.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，所述衬底和所述阻挡层之间还形成有所述第二堆叠层，所述第二堆叠层包括依次形成的绝缘层和栅极层，所述沟道孔和所述共源极沟槽还贯穿所述第二堆叠层。
10.根据权利要求9所述的存储器件，其特征在于，所述第二堆叠层为下选择管BSG层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910403108.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成三维存储器的方法及三维存储器
- 下一篇：柔性显示设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
