[发明专利]一种衬底及外延片在审
| 申请号： | 201910403134.0 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110164959A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李佳;芦伟立;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/167;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 预设 导电类型 外延材料 碳原子 铁原子 外延片 掺杂 半导体技术领域 半绝缘晶片 高频大功率 深能级缺陷 扩散 导电晶片 混合原子 少子寿命 硅原子 外延层 空位 生长 高阻 晶片 铁碳 填补 申请 | ||
1.一种衬底，其特征在于，包括：
晶片，所述晶片中包含预设原子，所述预设原子的浓度为1e11-1e18cm-3，其中，所述预设原子为铁原子、碳原子或硅原子中的至少一种。
2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：应用于制备氮化镓外延材料时，所述预设原子为铁原子或碳原子中的至少一种，所述预设原子的深度大于或等于0.6μm。
3.如权利要求2所述的衬底，其特征在于：所述预设原子浓度为1e17-1e18cm-3。
4.如权利要求3所述的衬底，其特征在于：所述晶片为碳化硅单晶材料、硅、蓝宝石或氮化镓。
5.如权利要求1所述的衬底，其特征在于：应用于制备碳化硅外延材料时，所述预设原子为碳原子或硅原子中的至少一种。
6.如权利要求5所述的衬底，其特征在于：所述预设原子深度大于或等于0.6μm，所述预设原子的浓度为1e17-1e18cm-3。
7.如权利要求5所述的衬底，其特征在于：所述晶片为碳化硅单晶材料。
8.如权利要求4或6所述的衬底，其特征在于：所述碳化硅单晶材料的晶型为6H或4H；和/或
所述碳化硅单晶材料的导电类型为n型或p型；和/或
所述碳化硅单晶材料为正晶向、偏向<11-20>方向8度、偏向<11-20>方向4度或偏向<11-20>方向2度的碳化硅(0001)单晶材料。
9.如权利要求1-8任一项所述的衬底，其特征在于：所述预设原子采用离子注入工艺从所述晶片表面注入到所述晶片中，所述离子注入工艺在形成所述晶片的切工艺之后且磨和抛光工艺之前或在形成所述晶片的磨工艺之后且抛光工艺之前；或直接在所述晶片上进入注入。
10.一种外延片，其特征在于，基于如权利要求1-8任一项所述的衬底制备的氮化镓外延材料或碳化硅外延材料。
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