[发明专利]一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路在审

专利信息
申请号: 201910403349.2 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110299985A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 杨宁宁;程书灿;张铭予;贾嵘;吴朝俊;徐诚 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 涂秀清
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 分数阶 电感 混沌系统 忆阻器 混沌电路 电容 负电阻 电路 动力学行为 闭合回路 固定参数 拓扑结构 依次连接 双涡卷 并联 鞍点 分析
【权利要求书】:

1.一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,其特征在于,包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容Cq、分数阶电感Lq、负电阻G,所述分数阶电容Cq的两端并联有分数阶忆阻器Mq,所述分数阶忆阻器Mq的一端还与所述分数阶电感Lq连接,所述分数阶忆阻器Mq另一端还连接有所述负电阻G。

2.根据权利要求1所述的一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,其特征在于,所述分数阶忆阻器Mq包括二极管桥式电路,所述二极管桥式电路两端还并联有分数阶电感

3.根据权利要求2所述的一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,其特征在于,所述二极管桥式电路包括正负端串联的二极管VD1、二极管VD4,和正负端串联的二极管VD3、二极管VD2,所述二极管VD1的负端与所述二极管VD3的负端连接,所述二极管VD2的正端与所述二极管VD4的正端连接,且所述分数阶电感与二极管VD3的负端和二极管VD2的正端并联。

4.根据权利要求3所述的一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,其特征在于,所述分数阶电感Lq和所述分数阶电感分别包括一个电阻Rin,且所述电阻Rin两端还并联多个RL等效电路,每个所述RL等效电路包括串联在一起的电阻Rn和电感Ln

5.根据权利要求1所述的一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,其特征在于,所述分数阶电容Cq包括一个电阻Rin,且所述电阻Rin上还并联有多个RC等效电路,每个所述RC等效电路包括并联在一起的电容Cn和电阻Rn

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