[发明专利]一种自适应线性化射频偏置模块及其使用电路

权利要求书

1.一种自适应线性化射频偏置模块，其特征在于：包括温度补偿模块和线性化偏置模块；

所述温度补偿模块包括基射结二极管HBT4、基射结二极管HBT5、电阻R5和电阻R6；

电阻R5的一端与电压源Vref连接，其另一端与基射结二极管HBT4的集电极连接，基射结二极管HBT4的发射极接地；

电阻R6的一端与电压源Vref连接，其另一端与基射结二极管HBT5的集电极连接，基射结二极管HBT5的发射极接地；

基射结二极管HBT5的基极连接在电阻R5与基射结二极管HBT4的集电极之间；基射结二极管HBT4的基极与电压源Vref连接；

所述线性化偏置模块包括基射结二极管HBT1和电容C1；基射结二极管HBT1的集电极与电压源Vcc连接，基射结二极管HBT1的基极与电容C1的一端连接，电容C1的另一端接地；

基射结二极管HBT1的基极还连接于电阻R6与基射结二极管HBT5的集电极之间；基射结二极管HBT4的基极还与基射结二极管HBT1的发射极连接，且两者连接的线路上还串接有电阻R3。

2.根据权利要求1所述的自适应线性化射频偏置模块，其特征在于：还包括功率检测模块，所述功率检测模块连接于基射结二极管HBT4的基极与电阻R3之间，其包括基射结二极管HBT2、基射结二极管HBT3和电容C2；

基射结二极管HBT2的集电极、基射结二极管HBT3的集电极和电容C2的一端分别与基射结二极管HBT4的基极连接；

基射结二极管HBT2的发射极、基射结二极管HBT3的发射极和电容C2的另一端分别接地；

基射结二极管HBT2的基极和基射结二极管HBT3的基极分别与电阻R3连接。

3.根据权利要求1所述的自适应线性化射频偏置模块，其特征在于：基射结二极管HBT4的基极与电压源Vref之间，串接有电阻R4。

4.根据权利要求1所述的自适应线性化射频偏置模块，其特征在于：基射结二极管HBT1的集电极与电压源Vcc之间串接有电阻R1。

5.一种自适应线性化射频偏置模块的使用电路，其特征在于：包括基射结二极管HBT0、电容Cin、电容Cout、电感L、电阻R2、如权利要求3或4所述的自适应线性化射频偏置模块；

基射结二极管HBT0的基极与电容Cin连接，电感L与电容Cout并联连接后与基射结二极管HBT0的集电极连接，基射结二极管HBT0的发射极接地；

所述的自适应线性化射频偏置模块连接在基射结二极管HBT0的基极与电容Cin之间，基射结二极管HBT1的发射极与电阻R3连接后，通过电阻R2与基射结二极管HBT0的基极连接。