[发明专利]一种ILD层平坦化后的清洗方法在审

专利信息
申请号: 201910404529.2 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN110277306A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 严磊 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/306
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 清洗 平坦化 半导体器件结构 化学机械研磨 氢氟酸溶液 热硫酸溶液 表面缺陷 表面氧化 传统工艺 器件结构 数量减少 研磨 接触孔 可剥离 氢氟酸 有效地 减小 晶圆 剥离 清洁 制作
【权利要求书】:

1.一种ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:

步骤一、提供一待制作接触孔的半导体器件结构;

步骤二、在所述器件结构上形成ILD层;

步骤三、对所述ILD层进行化学机械研磨;

步骤四、用氢氟酸对研磨后的ILD层进行清洗,将ILD层表面带有缺陷的一部分进行剥离;

步骤五、将ILD层进行APM清洗。

2.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:步骤一中的所述半导体器件结构包括基底,形成于所述基底上的多晶硅结构,形成于所述多晶硅结构上的金属硅化物;覆盖所述金属硅化物上表面、所述多晶硅侧壁以及所述基底上表面的接触刻蚀停止层。

3.根据权利要求2所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:所述金属硅化物为镍的硅化物。

4.根据权利要求2所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:所述接触刻蚀停止层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:所述ILD层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:步骤二中形成所述ILD层的方法采用沉积法形成。

7.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:该方法还包括:

步骤六、在所述ILD层上形成APF层;

步骤七、在所述APF层上形成NF-DARC层。

8.根据权利要求7所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:步骤六中形成所述APF层的方法和步骤七中形成所述NF-DARC层的方法为采用沉积的方法形成薄膜。

9.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:该方法应用于28nm的技术节点。

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