[发明专利]一种ILD层平坦化后的清洗方法在审
申请号: | 201910404529.2 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110277306A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 严磊 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 平坦化 半导体器件结构 化学机械研磨 氢氟酸溶液 热硫酸溶液 表面缺陷 表面氧化 传统工艺 器件结构 数量减少 研磨 接触孔 可剥离 氢氟酸 有效地 减小 晶圆 剥离 清洁 制作 | ||
1.一种ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供一待制作接触孔的半导体器件结构;
步骤二、在所述器件结构上形成ILD层;
步骤三、对所述ILD层进行化学机械研磨;
步骤四、用氢氟酸对研磨后的ILD层进行清洗,将ILD层表面带有缺陷的一部分进行剥离;
步骤五、将ILD层进行APM清洗。
2.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:步骤一中的所述半导体器件结构包括基底,形成于所述基底上的多晶硅结构,形成于所述多晶硅结构上的金属硅化物;覆盖所述金属硅化物上表面、所述多晶硅侧壁以及所述基底上表面的接触刻蚀停止层。
3.根据权利要求2所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:所述金属硅化物为镍的硅化物。
4.根据权利要求2所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:所述接触刻蚀停止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:所述ILD层的材料为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:步骤二中形成所述ILD层的方法采用沉积法形成。
7.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:该方法还包括:
步骤六、在所述ILD层上形成APF层;
步骤七、在所述APF层上形成NF-DARC层。
8.根据权利要求7所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:步骤六中形成所述APF层的方法和步骤七中形成所述NF-DARC层的方法为采用沉积的方法形成薄膜。
9.根据权利要求1所述的ILD层平坦化后的清洗方法,其特征在于:该方法应用于28nm的技术节点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造