[发明专利]一种eGaN HEMT混合型驱动电路及控制方法

权利要求书

1.一种eGaN HEMT混合型驱动电路，其特征在于：包括驱动电压源U_dri、开通驱动电路和关断驱动电路；开通驱动电路包括开通驱动PMOS管Q_{dri_on}，开通驱动PMOS管Q_{dri_on}的源极连接驱动电压源U_dri的正极，开通驱动PMOS管Q_{dri_on}的漏极连接开通驱动二极管D_on的阳极，开通驱动二极管D_on的阴极连接开通电感饱和控制电路的输入端，开通电感饱和控制电路的输出端连接eGaN HEMT的栅极；关断驱动电路包括关断驱动NMOS管Q_{dri_off}，关断驱动NMOS管Q_{dri_off}的源极连接驱动电压源U_dri的负极，关断驱动NMOS管Q_{dri_off}的漏极连接关断驱动二极管D_off的阴极，关断驱动二极管D_off的阳极连接关断电感饱和控制电路的输入端，关断电感饱和控制电路的输出端连接eGaN HEMT的栅极。

2.根据权利要求1所述的eGaN HEMT混合型驱动电路，其特征在于：所述开通电感饱和控制电路包括第一开通电感L_{on_1}、第二开通电感L_{on_2}、开通磁芯M_on和开通直流电流源I_{on_bias}；其中，第一开通电感L_{on_1}的一端连接开通驱动二极管D_on的阴极，第一开通电感L_{on_1}的另一端连接eGaN HEMT的栅极，第二开通电感L_{on_2}的两端分别与开通直流电流源I_{on_bias}的两端连接，第一开通电感L_{on_1}和第二开通电感L_{on_2}耦合绕制在开通磁芯M_on两侧。

3.根据权利要求1所述的eGaN HEMT混合型驱动电路，其特征在于：所述关断电感饱和控制电路包括第一关断电感L_{off_1}、第二关断电感L_{off_2}、关断磁芯M_off和关断直流电流源I_{off_bias}；其中，第一关断电感L_{off_1}的一端连接关断驱动二极管D_off的阴极，第一关断电感L_{off_1}的另一端连接eGaN HEMT栅极，第二关断电感L_{off_2}的两端分别与关断直流电流源I_{off_bias}的两端连接，第一关断电感L_{off_1}和第二关断电感L_{off_2}耦合绕制在关断磁芯M_off两侧。

4.控制权利要求2所述的eGaN HEMT混合型驱动电路的方法，其特征在于：保持驱动电压源U_dri处于工作状态，在eGaN HEMT开通前启动开通直流电流源I_{on_bias}，在eGaN HEMT进入密勒平台时关闭开通直流电流源I_{on_bias}。

5.控制权利要求3所述的eGaN HEMT混合型驱动电路的方法，其特征在于：在eGaN HEMT关断前启动关断直流电流源I_{off_bias}，在eGaN HEMT进入密勒平台时关闭关断直流电流源I_{off_bias}。