[发明专利]在芯片上制备多个测量区域的方法及具有测量区域的芯片

权利要求书

1.一种用于制备具有多个可电寻址的测量区域(16)的芯片(11)或用于在芯片(11)上制备多个测量区域(16)的方法，其中在芯片(11)上于各测量区域(16)内使可电接触的电极对(23a、23b)结构化，并且其中通过形成使所述测量区域(16)相互分开的隔室结构(24)而形成所述测量区域(16)，其特征在于，

隔室结构(24)的形成包括以下工艺步骤：

-在除测量区域(16)以外的芯片表面(13)上产生疏水润湿性能，

其中，所述疏水润湿性能通过施加疏水单层(12)来获得。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，隔室结构(24)的形成包括在测量区域(16)中产生亲水性能。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，直至单片化或安装芯片(11)时，测量区域(16)至少基本上设有保护层或被保护层覆盖。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层是可光致结构化的层或经光致结构化的层(14、18)。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述保护层是耐热的，特别是耐短时的温度峰值的。

6.根据权利要求3至5之一所述的方法，其特征在于，所述保护层在高达150℃、特别是高达200℃、优选高达250℃、优选高达300℃的温度是至少短时内化学和/或物理稳定的。

7.根据权利要求3至6之一所述的方法，其特征在于，所述保护层包含光刻胶或是光刻胶。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光刻胶是基于聚酰胺的光刻胶。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述疏水单层(12)是自组装单层。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，通过与反应性化合物的反应进行疏水化，特别地，所述反应性化合物是硅烷、优选烷基硅烷、特别是三烷基硅烷，和硅氮烷、优选三甲基氯硅烷和/或六甲基二硅氮烷，和氟硅烷、特别是部分和/或全氟化的烷基硅烷、优选十三氟-1,1,2,2-四氢辛基-三氯硅烷。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，疏水中间区域(27)在测量区域(16)之间形成平的栅格。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，隔室结构(24)的形成采用以下工艺步骤进行：

-通过施加由氟硅烷化合物形成的自组装单层(12)在除测量区域(16)以外的芯片表面(13)上产生疏水润湿性能，

-在测量区域(16)中产生亲水性能。

13.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，隔室结构(24)的形成具有按指定顺序的以下工艺步骤：

-将氟硅烷化合物作为单层(12)蒸镀至芯片表面(13)上，

-将可光致结构化的层(14)施加至芯片表面(13)上，

-对测量区域(16)进行曝光，

-对可光致结构化的层(14)进行显影，其中测量区域(16)被暴露，

-在测量区域(16)中产生亲水性能，以及

-除去经光致结构化的层(18)。