[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一晶圆；

一半导体芯片，设置于该晶圆的上方，其中该半导体芯片具有一非功能区和至少一功能区，该功能区设置于该非功能区内；以及

多个第一增强结构，穿透该半导体芯片进入该晶圆并且位于该非功能区内。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一增强结构为实心棒。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多个第一增强结构中的每一个的一顶表面与该半导体芯片的一上表面共面。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括多个第二增强结构，穿透该半导体芯片进入该晶圆并且位于该非功能区内。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该半导体芯片具有多个功能区，该第一增强结构设置于该半导体元件的角落，该第二增强结构设置于该功能区之间。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二增强结构以蜂窝结构排列。

7.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第二增强结构是一去耦电容器。

8.一种半导体组件，包括：

一晶圆；

多个半导体芯片，设置于该晶圆的上方，其中该多个半导体芯片中的每一个具有一非功能区和至少一功能区，该功能区设置于该非功能区内；以及

多个第一增强结构，穿透该多个半导体芯片中的每一个进入该晶圆并且位于该非功能区内。

9.如权利要求8所述的半导体组件，其中该第一增强结构为实心棒。

10.如权利要求8所述的半导体组件，还包括多个第二增强结构，穿透该半导体芯片进入该晶圆并且位于该非功能区内。

11.如权利要求10所述的半导体组件，其中该多个第二增强结构中的每一个包括：

一上电极，穿透该半导体芯片进入该芯片；

一介电层，围绕该上电极；以及

一下电极，设置于该晶圆内并围绕该介电层。

12.如权利要求11所述的半导体组件，其中该下电极是一掺杂区。

13.如权利要求8所述的半导体组件，还包括一保护层覆盖该半导体芯片和该第一增强结构。

14.一种半导体组件的制造方法，包括：

提供一晶圆；

提供该晶圆上方的多个半导体芯片，其中该多个半导体芯片中的每一个具有一非功能区和至少一功能区，该功能区设置于该非功能区内；

形成多个沟槽于该非功能区内，其中该多个沟槽通过该半导体芯片进入该晶圆而形成；以及

形成多个第一增强结构于该沟槽内。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中将该多个第一增强结构设置于该沟槽内的步骤包括：

沉积一导电材料于该沟槽内。

16.如权利要求14所述的制造方法，还包括：

设置多个第二增强结构于该沟槽内。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中将该多个第二增强结构设置于该沟槽内的步骤包括：

形成多个下电极于包围该沟槽的该芯片内；

沉积一介电层于该沟槽内；以及

沉积一上电极于该介电层的上方。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中该介电层具有一均匀厚度。

19.如权利要求14所述的制造方法，还包括：

沉积一保护层于该半导体芯片与该第一增强结构的上方。

20.如权利要求14所述的制造方法，还包括执行一研磨工艺以减小芯片的尺寸。