[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910406564.8 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110211971B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 丁玎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板包括显示区域以及位于显示区域外侧的弯折区域,显示面板包括源极/漏极金属层,在弯折区域内,显示面板包括有机光阻层,有机光阻层靠近源极/漏极金属层的一侧设有弯折区层间介质层。本申请在源极/漏极金属层和有机光阻层之间设置弯折区层间介质层,能够减小有机光阻层在源极/漏极走线干刻过程中的损失,进而避免源极/漏极走线断裂。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前OLED(organic light-emitting diode,有机电致发光显示装置)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角等优异性能,逐渐成为显示领域的主流。为了提高显示区的屏占比,通常会在下显示区域的周围形成一个弯折区域,在模组制程阶段将其弯折至面板背面。
源极/漏极(SD)走线沉积在机光阻层的上方。在源极/漏极干刻过程中,因铝的腐蚀问题,会刻蚀位于源极/漏极走线下方的机光阻层,造成机光阻层损失。
也即,现有技术中,有机光阻层容易在源极/漏极走线干刻过程损失,进而造成源极/漏极走线断裂。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,能够减小有机光阻层在源极/漏极走线干刻过程中的损失,进而避免源极/漏极走线断裂。
为解决上述问题,第一方面,本申请提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域外侧的弯折区域,所述显示面板包括源极/漏极金属层,在所述弯折区域内,所述显示面板包括有机光阻层,所述有机光阻层靠近所述源极/漏极金属层的一侧设有弯折区层间介质层。
其中,所述源极/漏极金属层包括沿平行于所述显示面板表面的方向上,间隔排布的源极/漏极金属线;在所述弯折区域内,所述弯折区层间介质层位于所述源极/漏极金属线的投影区域内,且所述弯折区层间介质层的厚度为第一预设值。
其中,在所述显示区域内,所述源极/漏极金属层靠近所述有机光阻层的一侧,依次设置有显示区第一层间介质层、显示区第二层间介质层、栅极金属层以及显示区栅极绝缘层;所述显示区第一层间介质层远离所述源极/漏极金属层的一侧表面和所述弯折区层间介质层远离所述源极/漏极金属层的一侧表面平齐。
其中,在所述源极/漏极金属线的投影区域内,所述显示区第一层间介质层的厚度为所述第一预设值;在所述源极/漏极金属线的投影区域之间,所述显示区第一层间介质层的厚度为第二预设值,其中,所述第一预设值大于所述第二预设值。
其中,所述显示区第一层间介质层和所述弯折区层间介质层在第一预设温度下形成膜层,所述显示区第二层间介质层在第二预设温度下形成膜层,所述第一预设温度低于所述第二预设温度。
为解决上述问题,第二方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置包括,以上任一项所述的显示面板。
为解决上述问题,第三方面,本申请提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域外侧的弯折区域,所述制备方法包括:
在所述显示面板的所述弯折区域制备有机光阻层;
在所述有机光阻层上制备弯折区层间介质层;
在所述弯折区层间介质层上制备源极/漏极金属层,其中,所述弯折区层间介质层用于在制备所述源极/漏极金属层时,减小所述有机光阻层的损失量。
其中,所述在所述有机光阻层上制备弯折区层间介质层,包括:
在所述有机光阻层上制备厚度为第一预设值的所述弯折区层间介质层;
所述在所述弯折区层间介质层上制备源极/漏极金属层,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的