[发明专利]半导体封装件模制设备在审
申请号: | 201910406960.0 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110875214A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 徐喜柱;崔宰源;洪性福;黄永进 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 件模制 设备 | ||
1.一种半导体封装件模制设备,包括:
腔室下部,其包括构造为容纳模制目标的下模具;
腔室上部,其构造为与所述腔室下部接合以将腔室的内部与所述腔室的外部隔离,所述腔室上部包括构造为与所述下模具形成以腔体的上模具;
第一排气孔,其位于所述腔室上部和所述腔室下部之间,所述第一排气孔构造为在所述腔室上部和所述腔室下部彼此接合之后从所述腔体的内部排出气体;
罐,其形成在所述腔室下部中的所述下模具中;
柱塞,其构造为推动所述罐中的模制材料;
第二排气孔,其形成在所述腔室下部中的所述罐的侧表面中;以及
腔体真空泵,其构造为通过所述第一排气孔和所述第二排气孔排出气体。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件模制设备,还包括:
形成在所述柱塞的侧表面中的凹槽;以及
与所述凹槽接合的第一环。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件模制设备,其中,所述第一环构造为在所述罐的第一区域内上下移动,并且所述第二排气孔位于所述第一区域下方。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件模制设备,还包括设置在所述第二排气孔下方以密封所述罐的内部的第二环。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件模制设备,还包括:
杆,其设置在所述柱塞下方并耦接至所述柱塞,并且构造为上下移动以使所述柱塞上下移动;以及
罐密封件,其耦接至所述罐的下部并构造为将所述杆和所述柱塞引导至所述罐中,
其中,所述第二环位于所述罐密封件的内壁和所述杆之间。
6.根据权利要求4所述的半导体封装件模制设备,其中,所述第二环位于所述罐和所述柱塞之间。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件模制设备,还包括构造为检测所述第一排气孔和所述第二排气孔中的气体泄漏的传感器,
其中,所述第一排气孔形成在所述腔室上部和所述腔室下部之间的界面中。
8.一种半导体封装件模制设备,包括:
腔室下部,其包括下模具,所述下模具包括构造为分别容纳第一模制目标和第二成模制目标的第一模制凹槽和第二模制凹槽;
腔室上部,其构造为与所述腔室下部接合以将腔室的内部与所述腔室的外部隔离,所述腔室上部包括构造为与所述下模具组合以形成腔体的上模具;
第一排气孔,其位于所述腔室上部和所述腔室下部之间,所述第一排气孔构造为在所述腔室上部和所述腔室下部彼此接合之后从所述腔体的内部排出空气;
罐,其在所述腔室下部中在平面图中形成在所述第一模制凹槽和所述第二模制凹槽之间;
柱塞,其构造为推动所述罐中的模制材料;
第二排气孔,其形成在所述腔室下部中的所述罐的侧表面中;
腔体真空泵,其构造为通过所述第一排气孔和所述第二排气孔排出所述空气;以及
传感器,其构造为检测所述第一排气孔和所述第二排气孔中的空气泄漏。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件模制设备,其中,所述第二排气孔在剖视图中是圆形的。
10.根据权利要求8所述的半导体封装件模制设备,还包括形成在所述腔室下部中的所述罐的侧表面中的第三排气孔。
11.根据权利要求8所述的半导体封装件模制设备,还包括:密封构件,其位于所述腔室上部和所述腔室下部之间,并且构造为阻挡所述腔室上部与所述腔室下部之间的除了所述第一排气孔之外的空间,
其中,所述第一排气孔形成在所述密封构件中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造