[发明专利]一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置

权利要求书

1.一种3D TLC闪存存储器的数据写入方法，其特征在于，所述3D TLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：

接收数据写入命令；

根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；

在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。

2.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，在所述选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块中之时，若所述3D TLC闪存存储器存在掉电现象，则重新选择一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。

3.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述预设数据量的数据包括预设组的数据，所述在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块，包括：

在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据为预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块；

在后续写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据与先前写入的最后一组的数据的和为预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。

4.根据权利要求3所述的数据写入方法，其特征在于，在所述将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块之后，和，在所述将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块之后，还包括：

更新所述三层存储单元存储数据块倒数预设组中除最后一组外的数据的逻辑对物理映射表。

5.根据权利要求4所述的数据写入方法，其特征在于，更新所述三层存储单元存储数据块倒数预设组中除最后一组外的数据的逻辑对物理映射表之时，若所述3D TLC闪存存储器存在掉电现象，则重新更新所述三层存储单元存储数据块倒数预设组中除最后一组外的数据的逻辑对物理映射表。

6.一种3D TLC闪存存储器的数据写入装置，其特征在于，包括：

数据接收模块，用于接收数据写入命令；

数据写入模块，用于根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；

数据转移模块，用于在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。

7.根据权利要求6所述的数据写入装置，其特征在于，所述数据转移模块还用于在所述选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块中之时，若所述3D TLC闪存存储器存在掉电现象，则重新选择一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。

8.根据权利要求6所述的数据写入装置，其特征在于，所述数据转移模块用于在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据为预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块；

在后续写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据与先前写入的最后一组的数据的和为预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。

9.根据权利要求8所述的数据写入装置，其特征在于，还包括逻辑映射表存储模块，所述逻辑映射表存储模块用于在所述将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块之后，和，在所述将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块之后，更新所述三层存储单元存储数据块倒数预设组中除最后一组外的数据的逻辑对物理映射表。

10.一种3D TLC闪存存储器，其特征在于，包括如权利要求6-9任一所述的数据写入装置。