[发明专利]半导体制造设备及半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造设备，包括多个真空腔室，其中一个真空腔室用作传输腔室，其余真空腔室用作功能腔室环绕设置在所述传输腔室周围，其特征在于，还包括：

缓冲装置，设置在至少一个所述真空腔室中，用于承载晶片；

真空机械手，设置在所述传输腔室中，用于在所述功能腔室之间传递晶片，且能够将晶片传递至所述缓冲装置上。

2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述缓冲装置包括用于承载已完成加工的晶片的第一支架，和用于承载未完成加工的晶片的第二支架；所述第一支架和第二支架位于同一所述真空腔室中；或者，位于不同的所述真空腔室中。

3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述第一支架为一个或者多个，且多个所述第一支架位于同一所述真空腔室中；或者，位于不同的所述真空腔室中；

所述第二支架为一个或者多个，且多个所述第二支架位于同一所述真空腔室中；或者，位于不同的所述真空腔室中。

4.根据权利要求2或3所述的半导体制造设备，其特征在于，在所述传输腔室中设置有至少一个所述第一支架和至少一个所述第二支架；并且，所述传输腔室在水平面上的正投影形状为多边形，每个所述第一支架和每个所述第二支架均位于所述多边形的拐角处。

5.根据权利要求2或3所述的半导体制造设备，其特征在于，其中两个所述功能腔室分别用作第一中转腔室和第二中转腔室，其余所述功能腔室用作工艺腔室，其中，所述第一支架设置在所述第一中转腔室中；所述第二支架设置在所述第二中转腔室中。

6.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述第一支架和第二支架各自均包括：

沿圆周方向间隔设置的至少两个支撑体，且在每个所述支撑体上沿竖直方向间隔设置有多个凹槽，并且至少两个支撑体上的每个凹槽一一对应地设置，用以共同支撑一个晶片。

7.根据权利要求6所述的半导体制造设备，其特征在于，所述支撑体的顶端与其所在所述真空腔室的顶部内壁之间的竖直间距大于等于3mm。

8.根据权利要求6所述的半导体制造设备，其特征在于，在每个所述支撑体上设置的所述凹槽的数量大于等于所述功能腔室的数量。

9.一种半导体制造方法，其特征在于，采用权利要求1-8中任一所述的半导体制造设备加工晶片，该半导体制造方法包括：

利用所述真空机械手将未加工的晶片传输至功能腔室中，以对所述晶片进行加工；

利用所述真空机械手将已完成工艺的晶片自所述功能腔室中取出，并传递至所述缓冲装置所在的所述真空腔室中，并将该晶片放置在该缓冲装置上，且停留预定时间，以去除所述晶片上的残气。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲装置包括用于承载已完成加工的晶片的第一支架，和用于承载未完成加工的晶片的第二支架；在所述传输腔室中设置有至少一个所述第一支架和至少一个所述第二支架；

在所述利用所述真空机械手将未加工的晶片传输至功能腔室中，以对所述晶片进行加工的步骤中，具体包括：在所述功能腔室对晶片进行加工的同时，利用所述真空机械手将未加工的晶片传输至所述第二支架上；

在所述利用所述真空机械手将已完成工艺的晶片自所述功能腔室中取出，并传递至所述缓冲装置所在的所述真空腔室中，并将该晶片放置在该缓冲装置上，且停留预定时间，以去除所述晶片上的残气的步骤中，具体包括：将完成加工的晶片放置在所述第一支架上去除残气，并将下一个所述未加工的晶片传输至所述功能腔室中进行加工。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述缓冲装置包括用于承载已完成加工的晶片的第一支架，和用于承载未完成加工的晶片的第二支架；两个所述功能腔室分别用作第一中转腔室和第二中转腔室，其余所述功能腔室用作工艺腔室，其中，所述第一支架设置在所述第一中转腔室中，所述第二支架设置在所述第二中转腔室中；

在所述利用所述真空机械手将未加工的晶片传输至功能腔室中，以对所述晶片进行加工的步骤中，具体包括：利用大气机械手将未加工的晶片传输至所述第二支架上，将所述第二中转腔室维持大气状态；利用真空机械手将所述未加工的晶片自所述第二支架传输至所述工艺腔室中，并将所述第二中转腔室维持在真空状态；

在所述利用所述真空机械手将已完成工艺的晶片自所述功能腔室中取出，并传递至所述缓冲装置所在的所述真空腔室中，并将该晶片放置在该缓冲装置上，且停留预定时间，以去除所述晶片上的残气的步骤中，具体包括：将完成加工的晶片放置在所述第一支架上去除残气，将所述第一中转腔室维持在真空状态，并且，将所述第一中转腔室在预定时间之后恢复大气状态。