[发明专利]一种磁流变抛光去除函数的提取方法及装置

权利要求书

1.一种磁流变抛光去除函数的提取方法，其特征在于，包括：

获取基片元件采斑前和采斑后的面形检测数据；所述基片元件边缘处带有位置标记；

根据所述采斑前、采斑后的面形检测数据及基片元件的位置标记，计算得残差数据；

对所述残差数据进行中值滤波处理；

对滤波处理后的残差数据，采用椭圆弧逼近去除函数轮廓，生成多个含有相同参数的去除函数；

对所述多个含有相同参数的去除函数，执行数据偏移、求平均操作，提取去除函数；

其中，对滤波处理后的残差数据，采用椭圆弧逼近去除函数轮廓，生成多个含有相同参数的去除函数，包括：

对滤波处理后的残差数据进行旋转，确保去除函数小端处于正下方；

对每个去除函数采用MRFSpot mask逼近其轮廓边缘，生成多个含有相同参数的去除函数；

所述MRFSpot mask，包括：处于中心位置的十字线，用于定位去除函数的中心位置；位于下部的椭圆弧，用于控制去除函数小端轮廓的形态；位于上方的椭圆弧，用于控制去除函数大端轮廓的形态；

其数学表达式为：

上式中x₀、y₀表示十字线中心坐标，x表示水平方向坐标，y表示垂直方向坐标，a表示宽度系数，b表示高度系数，c表示曲率系数。

2.如权利要求1所述的一种磁流变抛光去除函数的提取方法，其特征在于，根据所述采斑前、采斑后的面形检测数据及基片元件的位置标记，计算得残差数据，包括：

对所述采斑前、采斑后的面形检测数据，分别进行数据旋转操作；所述数据旋转操作包括：以面形检测数据几何中心为旋转中心O，旋转角度为采斑基片元件上位置标记与Y轴的夹角α；将面形边缘的位置标记点A旋转到Y轴正上方点B；

根据位置标记，当采斑前、采斑后的面形检测数据位置对应时，将采斑后的面形检测数据减去采斑前的面形检测数据，计算得残差数据。

3.如权利要求1所述的一种磁流变抛光去除函数的提取方法，其特征在于，对所述多个含有相同参数的去除函数，执行数据偏移、求平均操作，提取去除函数，包括：

计算提取所述多个含有相同参数的去除函数中的最大值，计算公式为：

上式中，spot_i表示去除函数，i＝1～N，N为采斑操作时的采斑个数；v_i表示最大值，i＝1～N；spot表示提取最终的去除函数。

4.一种磁流变抛光去除函数的提取装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取基片元件采斑前和采斑后的面形检测数据；所述基片元件边缘处带有位置标记；

计算模块，用于根据所述采斑前、采斑后的面形检测数据及基片元件的位置标记，计算得残差数据；

滤波模块，用于对所述残差数据进行中值滤波处理；

生成模块，用于对滤波处理后的残差数据，采用椭圆弧逼近去除函数轮廓，生成多个含有相同参数的去除函数；

提取模块，用于对所述多个含有相同参数的去除函数，执行数据偏移、求平均操作，提取去除函数；

所述生成模块，包括：

确定子模块，用于对滤波处理后的残差数据进行旋转，确保去除函数小端处于正下方；

生成子模块，用于对每个去除函数采用MRFSpot mask逼近其轮廓边缘，生成多个含有相同参数的去除函数；

所述生成子模块中的MRFSpot mask，具体包括：

处于中心位置的十字线，用于定位去除函数的中心位置；位于下部的椭圆弧，用于控制去除函数小端轮廓的形态；位于上方的椭圆弧，用于控制去除函数大端轮廓的形态；

其数学表达式为：

上式中x₀、y₀表示十字线中心坐标，x表示水平方向坐标，y表示垂直方向坐标，a表示宽度系数，b表示高度系数，c表示曲率系数。