[发明专利]指纹传感装置及电子设备

权利要求书

1.一种指纹传感装置，其特征在于，包括：

第一单元，所述第一单元包括多个开关管；

位于所述第一单元上的多个第二单元，所述第二单元用于提供感应信号；

多个第三单元，用于根据所述感应信号提供检测信号；以及

多个第四单元，多个所述第四单元分别连接至相应的所述第二单元和所述第三单元之间，用于提供静电电荷的释放路径和感应信号的导通路径，

其中，每个第四单元包括至少一个静电防护元件，所述多个开关管中的至少一个开关管的寄生二极管提供所述静电防护元件中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的指纹传感装置，其特征在于，所述多个开关管包括：

第一开关管，所述第一开关管的第一端连接至所述第二单元，第二端连接至所述第三单元的输出端；以及

第二开关管，所述第二开关管的第一端连接至所述第二单元，第二端连接至所述参考地，

其中，所述第二开关管为NMOS晶体管，所述静电防护元件包括所述第二开关管的寄生二极管，

当所述第二开关管处于导通状态时，所述第二开关管的寄生二极管提供带正电的所述静电电荷和带负电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分，

当所述第二开关管处于关断状态时，所述第二开关管的寄生二极管提供带负电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的指纹传感装置，其特征在于，

所述第一开关管为PMOS晶体管，所述静电防护元件包括所述第一开关管的寄生二极管和所述第二开关管的寄生二极管，

所述第一开关管的体区连接至所述参考电源，所述第一开关管的寄生二极管提供带正电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分。

4.根据权利要求2所述的指纹传感装置，其特征在于，所述多个开关管包括：

第一开关管，所述第一开关管的第一端连接至所述第二单元，第二端连接至所述第三单元的输出端；

第二开关管，所述第二开关管的第一端连接至所述第二单元，第二端连接至所述第三单元的输入端；以及

第三开关管，所述第三开关管的第一端连接至参考电源，第二端连接至所述第二单元；

其中，所述第二开关管为NMOS晶体管，所述第三开关管为PMOS晶体管，所述静电防护元件包括所述第二开关管的寄生二极管和所述第三开关管的寄生二极管，

当所述第二开关管和/或所述第三开关管处于导通状态时，所述第二开关管的寄生二极管和/或所述第三开关管的寄生二极管提供带正电的所述静电电荷带负电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分，

当所述第二开关管处于关断状态时，所述第二开关管的寄生二极管提供带负电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分，

当所述第三开关管处于关断状态时，所述第三开关管的寄生二极管提供带正电的所述静电电荷与所述参考地之间的所述静电释放路径的至少一部分。

5.根据权利要求3或4所述的指纹传感装置，其特征在于，

所述NMOS晶体管和/或所述PMOS晶体管包括源极区、漏极区和栅极区，在所述源极区和所述漏极区的表面包括金属焊盘，

其中，所述源极区和所述漏极区的在垂直于所述第一单元方向上的截面积不相同，所述源极区和所述漏极区中面积较大的一个的表面的所述金属焊盘距所述栅极区的距离大于所述源极区和所述漏极区中另一个的表面的所述金属焊盘距所述栅极区的距离，所述源极区和所述漏极区中面积较大的一个提供所述第一开关管的寄生二极管、所述第二开关管的寄生第二极管和所述第三开关管的寄生二极管中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的指纹传感装置，其特征在于，还包括：钳位晶体管，连接至所述静电防护元件，至少一个所述钳位晶体管形成于所述第一单元内。

7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的指纹传感装置。