[发明专利]一种MEMS晶圆切割对准方法及MEMS晶圆在审
| 申请号： | 201910409069.2 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN111943129A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王通;王潇斐 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 切割 对准 方法 晶圆 | ||
1.一种MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于，包括以下步骤：
在覆盖晶圆上嵌入切割对准标记；
将所述覆盖晶圆与器件晶圆接合形成多个MEMS腔体；以及
根据所述切割对准标记进行晶圆切割。
2.根据权利要求1所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：采用硅通孔工艺制作所述切割对准标记。
3.根据权利要求1所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：所述切割对准标记制作于相邻的每两个所述MEMS腔体之间。
4.根据权利要求1所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：在每个所述MEMS腔体周围制作多个所述切割对准标记，并且所述切割对准标记紧邻对应的所述MEMS腔体。
5.根据权利要求1或4所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：多个所述切割对准标记连接成切割线，晶圆切割时对准所述切割线进行切割。
6.根据权利要求1所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：所述覆盖晶圆的正面与所述器件晶圆的正面键合形成多个所述MEMS腔体，所述切割对准标记嵌入于所述覆盖晶圆的正面。
7.根据权利要求6所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：在进行晶圆切割之前，研磨所述覆盖晶圆的背面并露出所述切割对准标记。
8.根据权利要求7所述的MEMS晶圆切割对准方法，其特征在于：所述切割对准标记具有沿所述覆盖晶圆的正面向内嵌入的第一深度，所述第一深度大于或等于200μm。
9.一种MEMS晶圆，其特征在于，包括：
器件晶圆和位于所述器件晶圆上的覆盖晶圆，所述器件晶圆与所述覆盖晶圆接合形成有多个MEMS腔体，相邻的所述MEMS腔体之间设有间隔区域；
其中，在所述覆盖晶圆上设有切割对准标记，所述切割对准标记位于所述间隔区域内。
10.根据权利要求9所述的MEMS晶圆，其特征在于：相邻的每两个所述MEMS腔体之间均设有所述切割对准标记。
11.根据权利要求9所述的MEMS晶圆，其特征在于：每个所述MEMS腔体周围设有多个所述切割对准标记，所述切割对准标记紧邻对应的所述MEMS腔体。
12.根据权利要求9所述的MEMS晶圆，其特征在于：所述覆盖晶圆的正面与所述器件晶圆的正面接合形成有多个所述MEMS腔体，所述切割对准标记嵌入于所述覆盖晶圆的正面。
13.根据权利要求12所述的MEMS晶圆，其特征在于：所述切割对准标记具有沿所述覆盖晶圆的正面向内嵌入的第一深度，所述第一深度大于或等于200μm。
14.根据权利要求9所述的MEMS晶圆，其特征在于：所述切割对准标记采用硅通孔工艺制作而成。
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