[发明专利]一种纳米管状二硫化钼的制备方法在审
| 申请号： | 201910409692.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110104686A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 段司航;郭俊宏;王巍 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 制备 纳米管状 钼源 硅片 超声波清洗 惰性气体 管状结构 硅片放置 结构规则 位置距离 氩气流速 低温区 反应物 高温区 陶瓷块 气压 酒精 摆放 | ||
1.一种纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述方法采用CVD法在CVD管式炉中进行，所述方法具体包括：
首先，将预定质量的S粉置于所述CVD管式炉中的低温区中心，以及
将预定质量的钼源置于所述CVD管式炉中的高温区中心；
然后，设定所述CVD管式炉的惰性气体流速；
最后，调整硅片的位置、整体的加热时间和加热温度，通过自然降温制备获取得到纳米管状二硫化钼。
2.如权利要求1所述的纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或者氮气中的一种或两种混合制成。
3.如权利要求1所述的纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述硅片在酒精中使用超声波清洗30min。
4.如权利要求1所述的纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述硅片置于所述钼源正上方设置，或埋于所述S粉中。
5.如权利要求4所述的纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述钼源置于所述CVD管式炉高温区中心，或将所述钼源盛于瓷舟置于所述CVD管式炉的高温区中心，或通过将所述钼源堆高于所述瓷舟中放置于所述CVD管式炉的高温区中心。
6.如权利要求5所述的纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述硅片利用陶瓷块架高置于所述钼源正上方。
7.如权利要求5所述的纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述硅片利用陶瓷块架高置于所述钼源上方，且斜置于所述惰性气体气流的垂直方向。
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