[发明专利]一种非易失自旋轨道转矩元件及其转矩方法有效
| 申请号： | 201910410776.3 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110224063B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 温嘉红;赵晓宇;骆泳铭;周铁军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/20;H10N50/01;G11C11/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 自旋 轨道 转矩 元件 及其 方法 | ||
1.一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，包括：衬底、设于衬底上的第一电极、设于第一电极上的异质结构层以及设于异质结构层上的第二电极，所述衬底用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
所述异质结构层包括重金属薄膜、设于重金属薄膜上的铁磁性金属薄膜以及设于铁磁性金属薄膜上的阻变薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述重金属薄膜的材料为铂、钽、钯、或者钨中的一种。
3. 根据权利要求1或2所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的重金属薄膜的厚度为0.5~2 nm。
4.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的异质结构层中的铁磁性金属薄膜的材料为Fe、Co、Ni、CoFe或者NiFe中的一种。
5. 根据权利要求4所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的铁磁性金属薄膜的厚度为1~2 nm。
6. 根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述异质结构层中的阻变薄膜的材料为CeO2，其厚度为20~50 nm。
7.根据权利要求1或2或4或6所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述异质结构为磁性单层膜、磁性多层膜、磁性隧道结或自旋阀中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述第一电极以及第二电极的材料为Au、Ag或者Cu中的一种。
9.一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：
衬底清洁；
在清洁后的衬底上沉积第一电极；
在所述第一电极上依次沉积重金属薄膜、铁磁性金属薄膜以及阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上沉积第二电极；
在所述第一电极以及第二电极处施加外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
10.根据权利要求9所述的一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，其特征在于，所述的外加电场的电压为0.1~5V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910410776.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
