[发明专利]一种存储设备的测试方法、测试设备及计算机存储介质

说明书

本申请公开了一种存储设备的测试方法、测试设备及计算机存储介质，该存储设备包括至少一个裸片，该方法包括向存储设备的裸片的寄存器中写入第一数据；从寄存器中读取第二数据；判断第一数据与第二数据是否相同，得到测试结果。利用上述方式，本申请提高对存储设备的测试强度，且不会对存储设备的寿命产生不良影响。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域，具体涉及一种存储设备的测试方法、测试设备及计算机存储介质。

背景技术

闪存(Flash)是一种容量大、读写速度高、功耗低以及成本低的非易失性存储器，尤其是它具有非易失性的特点，即在断电后仍能保存数据，使得它在生活中的应用越来越广泛。随着多媒体的发展以及大数据时代的到来，对于闪存读写速度要求越来越高，以开放式与非闪存接口标准(ONFI，Open NAND Flash Interface)为例，ONFI也经历了从ONFI1.0到ONFI2.0到ONFI3.0到ONFI4.0的逐步发展，接口速度由50Mbps提高至现在的1200Mbps，这对闪存接口信号的可靠性提出了严苛的考验。

本申请的发明人在长期研发中发现，闪存在生产过程中需经过切割、绑定以及封装，切割是对单晶硅进行切割、多次光刻以及掺杂等加工操作；绑定是把集成电路裸片(DIE)和基板走线(一般情况是金线)连接起来的一种技术，分为主控到基板的绑定以及闪存到基板的绑定；封装是指将一个或多个DIE封在一起，封装格式有双排直立式封装(DIP，Dual Inline Package)、球栅阵列封装(BGA，Ball Grid Array Package)、插针网格阵列封装技术(PGA，Pin Grid Array Package)或TSOP(薄型小尺寸封装，Thin Small OutlinePackage)等；这些加工操作中的任何一步没做好都可能对闪存接口信号造成影响，使得贴片可能出现基板走线不良、阻抗匹配问题，产生闪存接口信号问题。因此，如何进行信号测试，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本申请主要解决的问题是提供一种存储设备的测试方法、测试设备及计算机存储介质，提高对存储设备的测试强度，且不会对存储设备的寿命产生不良影响。

为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是提供一种存储设备的测试方法，该存储设备包括至少一个裸片，该方法包括：向存储设备的裸片的寄存器中写入第一数据；从寄存器中读取第二数据；判断第一数据与第二数据是否相同，得到测试结果。

其中，向存储设备的裸片的寄存器中写入第一数据的步骤，包括：向存储设备发送数据输入命令、寄存器的偏移地址以及第一数据，以向存储设备的裸片的寄存器中写入第一数据；向存储设备发送随机数据读取命令以及寄存器的偏移地址，以从存储设备的裸片的寄存器中读取第二数据。

其中，裸片还包括与寄存器连接的输入/输出接口，寄存器包括命令寄存器、地址寄存器以及数据寄存器。

其中，向存储设备发送数据输入命令、寄存器的偏移地址以及第一数据，以向存储设备的裸片的寄存器中写入第一数据的步骤，包括：利用输入/输出接口输入数据输入命令，并使数据输入命令传输至命令寄存器；利用输入/输出接口输入寄存器的偏移地址，并使寄存器的偏移地址传输至地址寄存器；利用输入/输出接口输入第一数据，并使第一数据传输至数据寄存器。

其中，数据输入命令包括串行数据输入命令或随机数据输入命令。

其中，向存储设备发送随机数据读取命令以及寄存器的偏移地址，以从存储设备的裸片的寄存器中读取第二数据的步骤，包括：利用输入/输出接口输入随机数据读取命令，并使随机数据读取命令传输至命令寄存器；利用输入/输出接口输入寄存器的偏移地址，并使寄存器的偏移地址传输至地址寄存器；利用输入/输出接口读取数据寄存器中的第二数据。