[发明专利]一种存储设备的数据写入方法、装置及存储设备在审

专利信息
申请号: 201910411074.7 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN111949199A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 陈诚 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储 设备 数据 写入 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种存储设备的数据写入方法,其特征在于,所述存储设备包括单层存储单元缓冲数据块和多层存储单元存储数据块,所述数据写入方法包括:

接收数据写入命令;

根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中;

在所述单层存储单元缓冲数据块中的有效数据量等于一个多层存储单元存储数据块的数据量时,将所述单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中。

2.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,所述单层存储单元缓冲数据块包括第一单层存储单元缓冲数据块和第二单层存储单元缓冲数据块,所述第一单层存储单元缓冲数据块和所述第二单层存储单元缓冲数据块中分别包括多个存储单元行;

所述根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中,包括:

根据所述数据写入命令将对应的所述数据以单层式存储模式写入第一单层存储单元缓冲数据块中;并在所述第一单层存储单元缓冲数据块中多个存储单元行的有效数据量的和等于一个存储单元行的数据量时,将所述第一单层存储单元缓冲数据块中所述多个存储单元行的有效数据移至所述第二单层存储单元缓冲数据块中;

所述在所述单层存储单元缓冲数据块中的有效数据量等于一个多层存储单元存储数据块的数据量时,将所述单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中,包括:

在n个所述第二单层存储单元缓冲数据块中的数据量等于一个多层存储单元存储数据块的数据量时,将三个所述第二单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中,其中,n为多层存储单元存储数据块与单层存储单元缓冲数据块的存储数据位的比值。

3.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,所述单层存储单元缓冲数据块包括第一单层存储单元缓冲数据块和第二单层存储单元缓冲数据块,所述第一单层存储单元缓冲数据块和所述第二单层存储单元缓冲数据块中分别包括多个存储单元行;

所述根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中,包括:

根据所述数据写入命令将对应的所述数据中,数据量为存储单元行数据量的整数倍的数据以单层式存储模式写入第二单层存储单元缓冲数据块中;

将剩余的数据写入所述第一单层存储单元缓冲数据块中,并在所述第一单层存储单元缓冲数据块中多个存储单元行的有效数据量的和等于一个存储单元行的数据量时,将所述第一单层存储单元缓冲数据块中所述多个存储单元行的有效数据移至所述第二单层存储单元缓冲数据块中;

所述在所述单层存储单元缓冲数据块中的有效数据量等于一个多层存储单元存储数据块的数据量时,将所述单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中,包括:

在n个所述第二单层存储单元缓冲数据块中的数据量等于一个多层存储单元存储数据块的数据量时,将所述n个第二单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中,其中,n为多层存储单元存储数据块与单层存储单元缓冲数据块的存储数据位的比值。

4.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,在将所述单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中后,更新所述多层存储单元存储数据块对应的逻辑对物理映射表。

5.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,所述多层存储单元存储数据块的存储数据位为2或3。

6.一种存储设备的数据写入装置,其特征在于,所述存储设备包括单层存储单元缓冲数据块和多层存储单元存储数据块,所述数据写入装置包括:

数据接收模块,用于接收数据写入命令;

数据写入模块,用于根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中;

数据转移模块,用于在所述单层存储单元缓冲数据块中的有效数据量等于一个多层存储单元存储数据块的数据量时,将所述单层存储单元缓冲数据块中的数据移至所述多层存储单元存储数据块中。

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