[发明专利]一种非极性ALGAN基肖特基紫外探测器

权利要求书

1.一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底（101）、低温AlN成核层（102）、高温AlN缓冲层（103）、AlN/Al_xGa_1-xN超晶格结构（104）、n型掺杂n-Al_yGa_1-yN层（105）、n型掺杂n-Al_zGa_1-zN吸收层（106）、AlN势垒增强层（107）、金属薄膜层（108），在n-Al_yGa_1-yN层（105）上引出欧姆电极（109）；除衬底（101）、金属薄膜层（108）和欧姆电极（109）之外，其余各层均由非极性AlGaN基材料构成，其中0yzx1。

2.根据权利要求1所述的一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，其特征在于：所述金属薄膜层（108）、欧姆电极（109）分别位于横向极化电场的负正两极。

3.根据权利要求1所述的一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，其特征在于：所述金属薄膜层（108）由Pt、Ni或者Au构成，其功函数大于n-Al_zGa_1-zN吸收层（106）和AlN势垒增强层（107）功函数，而欧姆电极（109）材料为Al，Ni，Au，Ti中的任何一种或其合金材料。

4.根据权利要求1所述的一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，其特征在于：所述低温AlN成核层（102）的厚度为20-30 nm，高温AlN缓冲层（103）的厚度为100-2000 nm，AlN/Al_xGa_1-xN超晶格结构（104）中AlN层厚度为1-20 nm，Al_xGa_1-xN层的厚度为1-20 nm，重复周期数为3-20；而n-Al_yGa_1-yN层（105）的厚度为50-2000 nm，n-Al_zGa_1-zN吸收层（106）的厚度为200-1000 nm，AlN势垒增强层（107）的厚度为1-20 nm，金属薄膜层（108）的厚度为1-10 nm。

5.根据权利要求1所述的一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，其特征在于：所述衬底(101)为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化镓、氮化铝材料中的任何一种。