[发明专利]一种MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法

权利要求书

1.一种MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤一、将MXene分散于超纯水中并超声处理5～10min，得到MXene分散液；

步骤二、将盐酸多巴胺加入MXene分散液中，在100～200r/min下磁力搅拌反应5～20min；

步骤三、将Tris-HCl缓冲液加入到步骤二的混合液中调节其pH至8.0～8.5，最后在25～60℃中搅拌反应12～24h离心提纯得到溶液A；

步骤四、将0.5～2g的聚乙烯醇分散于100～400mL的超纯水中，加热到80～100℃，并在100～200r/min下搅拌30～60min使其充分溶解；

步骤五、将6.2～24.8g的FeCl₃·6H₂O加入到步骤四的聚乙烯醇溶液中，并在100～200r/min下充分搅拌均匀，然后将700μL～2.8mL吡咯单体加入上述混合溶液体系中，随后在0～5℃和100～150r/min的条件下搅拌反应2～4h；

步骤六、将步骤五所得混合体系进行透析24～48h，随后加入氨水调节其pH至8，最后在4000～5000r/min转速下离心5～10min，得到溶液B；

步骤七、将溶液A和溶液B按照溶质质量比为1～10:1的比例在磁力搅拌转速为100～200r/min下进行混合，随后在100～200W功率下超声处理5～10min，得到MXene基电磁屏蔽涂层材料。

2.根据权利要求1所述的MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述MXene分散液的浓度为1～6mg/mL。

3.根据权利要求1所述的MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述MXene为大片单层低缺陷的MXene。

4.根据权利要求3所述的MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述MXene的单层厚度为1.7nm以下，片层尺寸为1～5μm。

5.根据权利要求1所述的MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述MXene是通过氢氟酸直接刻蚀或者原位生成氢氟酸刻蚀MAX相所得。

6.根据权利要求1所述的MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述MXene的制备方法如下：

步骤(1)、在烧杯中加入80mL盐酸，然后将3～4g氟化锂分散于盐酸中，并在200～400r/min转速下充分搅拌10～30min；

步骤(2)、将2～4g的MAX相逐步缓慢地加入到步骤(1)所得混合液中，随后在35～55℃温度下以100～400r/min转速搅拌恒温反应24～30h；

步骤(3)、将步骤(2)中的混合液用超纯水洗涤3～5次，直至其pH为中性为止，最后离心10～30min取上清液便得到MXene，离心速率为3500～5000r/min。

7.根据权利要求5或6所述的MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述MAX相为Ti₃AlC₂、Ti₃SiC₂、Ti₂AlC以及Ti₄AlN₃中的一种。