[发明专利]一种高效低功耗的EEPROM灵敏读放电路及其工作方法有效
申请号: | 201910411627.9 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110136765B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 徐灿;曾为民;李向宏 | 申请(专利权)人: | 山东华翼微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/24 |
代理公司: | 济南竹森知识产权代理事务所(普通合伙) 37270 | 代理人: | 吕利敏 |
地址: | 250000 山东省济南市高新区新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 功耗 eeprom 灵敏 电路 及其 工作 方法 | ||
1.一种高效低功耗的EEPROM灵敏读放电路,包括读放电流源Is_rd、读数据信号enb_rd、BL位线和输出端,其特征在于,还包括共栅电路模块和传输门电路模块;所述共栅电路模块包括两个并联的共源极单级放大器:N沟道MOS管NM1和P沟道MOS管PM8;所述传输门电路模块包括在读电流通路上串联的P沟道MOS管PM9和N沟道MOS管NM0;
在读放电路的读放电流源的通路上设置有稳压电路模块,以减小读电流对储存CELL寄生电容的放电时间;
所述稳压电路模块包括两个二极管接法的串联N沟道MOS管NM3和N沟道MOS管NM4;
所述读放电路还包括开关电路模块,包括:在读放电流源Is_rd和电源VDD之间串联设置的P沟道MOS管PM0、P沟道MOS管PM1、P沟道MOS管PM2、P沟道MOS管PM3;所述P沟道MOS管PM0上并联有开关S2,所述P沟道MOS管PM1上并联有开关S1,所述P沟道MOS管PM2上并联有开关S0;
所述开关电路模块还连接有滤波电路模块;
在所述读放电路的输出端还设置有寄存器电路模块,根据读时钟信号存储此时地址下的EEPROM的读放数据。
2.如权利要求1所述的高效低功耗的EEPROM灵敏读放电路的工作方法,包括:当所述读放电路开始读数据时,读数据信号enb_rd为高电平,P沟道MOS管PM4、P沟道MOS管PM5导通,N沟道MOS管NM2截止,然后P沟道MOS管PM6、P沟道MOS管PM7导通,并有读放电流源Is_rd按比例通过P沟道MOS管PM3镜像到P沟道MOS管PM6、P沟道MOS管PM7的两条通路上,此时,所述读放电路功能开启:其特征在于,
1)若读地址所指向的EEPROM存储CELL属于导通状态,那么BL位线上的电压接近为0,即N沟道MOS管NM1、P沟道MOS管PM8的栅极电压为低,P沟道MOS管PM8导通,反相器inv2的输入端为高电平,寄存器DFF的D输入端为低电平,当读时钟rdck变为高电平时,寄存器DFF输出低电平,即读出数据“0”;直到下一个读时钟rdck变为高电平,寄存器DFF的输出才根据输入端的数据变化而变化,寄存器DFF输出数据保存读时钟rdck的一个周期;
2)若存储CELL属于截止状态,那么BL位线上的读电流对存储CELL的寄生电容充电,直到BL位线上的电压达到高电平,N沟道MOS管NM1、P沟道MOS管PM8的栅极为高电平,N沟道MOS管NM1管导通,反相器inv2输入端为低电平,寄存器DFF的D输入端为高电平,当读时钟rdck变为高电平时,寄存器DFF输出高电平,即读出数据“1”。
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