[发明专利]具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法

权利要求书

1.一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括：

图形SOI衬底，包括依次层叠P型硅衬底、绝缘层及顶硅层，所述绝缘层中具有窗口，所述窗口底部的P型硅衬底中形成有N型连接区，所述窗口中填充有N型外延层，所述N型外延层连接所述P型硅衬底及所述顶硅层；

N型体区，形成于所述N型外延层上的顶硅层中；

超结结构，形成于所述顶硅层中，其一侧并与所述N型体区横向连接，所述超结结构包括层叠的N型超结体区及P型超结体区；

P型体区，形成于所述顶硅层中，并连接于所述超结结构的另一侧；

P型源区，形成于所述N型体区中；

N型重掺杂衬底接触区，形成于所述N型体区中；

P型漏区，形成于所述P型体区中；

场氧化层，形成于所述P型超结体区中；

栅氧化层，横跨于所述P型源区及所述P型超结体区之间；

栅极层，形成于所述栅氧化层上。

2.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述栅氧化层还横跨于所述场氧化层上以与所述场氧化层具有交叠区域，所述交叠区域的宽度介于所述场氧化层宽度的1/4～3/4之间。

3.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述场氧化层的厚度小于所述P型超结体区的深度，所述场氧化层包括locos场氧化层或STI场氧化层，所述场氧化层的厚度范围介于3000埃～5000埃，宽度介于1微米～2微米。

4.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述N型超结体区的注入离子包括磷，离子注入剂量介于1～5E13/cm²，所述P型超结体区的注入离子包括硼，离子注入剂量介于1～3E13/cm²。

5.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述器件的耐压介于50V～300V之间，导通电阻不大于200mohm*mm²。

6.一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一P型硅衬底，于所述P型硅衬底上形成绝缘层；

2)于所述绝缘层中刻蚀出窗口；

3)于所述窗口底部的P型衬底中形成N型连接区，于所述窗口中形成P型外延层，并在所述绝缘层上形成顶硅层；

4)于所述顶硅层中形成场氧化层；

5)通过光刻工艺和离子注入工艺，使所述P型外延层反型成N型外延层，并分别在所述顶硅层中形成N型体区、超结结构及P型体区，其中，所述N型体区形成于所述N型外延层上，所述超结结构的一侧所述N型体区横向连接，另一侧与所述P型体区连接，所述超结结构包括层叠的N型超结体区及P型超结体区；

6)形成栅氧化层及栅极层，所述栅氧化层横跨于所述N型体区及所述P型超结体区之间，所述栅极层位于所述栅氧化层上；

7)形成P型源区、P型漏区及N型重掺杂衬底接触区，所述P型源区形成于所述N型体区中，所述P型漏区形成于所述P型体区中，所述N型重掺杂衬底接触区形成于所述N型体区中。

7.根据权利要求6所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件的制作方法，其特征在于：步骤1)采用热氧化工艺于所述N型衬底上形成绝缘层，所述绝缘层的厚度介于0.5微米～2微米之间，步骤3)形成的顶硅层的厚度介于3微米～10微米之间，所述顶硅层为N型掺杂。

8.根据权利要求6所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件的制作方法，其特征在于：所述场氧化层的厚度小于所述P型超结体区的深度，所述场氧化层包括locos场氧化层或STI场氧化层，所述场氧化层的厚度范围介于3000埃～5000埃，宽度介于1微米～2微米。