[发明专利]宽带功率晶体管装置和放大器及其制造方法

权利要求书

1.一种具有第一放大路径的射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管管芯，所述晶体管管芯具有晶体管和晶体管输出端，其中所述晶体管具有低于每瓦特0.2皮法的漏极-源极电容；以及

阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路耦合于所述晶体管输出端与所述第一放大路径的输出之间，其中所述阻抗匹配电路包括：

谐波终止电路，所述谐波终止电路包括串联连接于所述晶体管输出端与接地参考节点之间的第一电感元件和第一电容，其中来自串联的所述第一电感元件和所述第一电容的组合的等效电容使所述漏极-源极电容有效地增加至少10％，所述第一电感元件包括第一多个键合线，并且所述谐波终止电路在所述RF放大器的操作基频的谐波频率下谐振，以及

第二电感元件和第二电容，所述第二电感元件和所述第二电容串联连接于所述晶体管输出端与所述接地参考节点之间，其中所述第二电感元件包括第二多个键合线，并且其中所述第二多个键合线和所述第二电容直接连接。

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述晶体管是氮化镓晶体管。

3.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述第一电容器和所述第二电容器是金属-绝缘体-金属电容器。

4.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，在所述谐波终止电路中，所述第一电感元件直接连接到所述第一电容。

5.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述谐波终止电路在所述操作基频的第二谐波频率下谐振。

6.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于：

第一电容值在1皮法到100皮法的范围内；

所述第二电容器具有在30皮法到500皮法范围内的第二电容值；

所述第一电感元件具有在20皮亨到1毫微亨范围内的电感值；并且

所述第二电感元件具有在100皮亨到3毫微亨范围内的电感值。

7.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，进一步包括：

视频带宽电路，所述视频带宽电路耦合到所述第二电感元件与所述第二电容之间的连接节点，其中所述视频带宽电路包括多个部件，其中所述多个部件包括串联耦合于所述连接节点与所述接地参考节点之间的包络电阻器、包络电感器和包络电容器。

8.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，进一步包括：

第二放大路径；

功率分配器，所述功率分配器具有被配置成接收RF信号的输入、耦合到所述第一放大路径的输入的第一输出以及耦合到所述第二放大路径的输入的第二输出，其中所述功率分配器被配置成将所述RF信号分成通过所述第一输出向所述第一放大路径提供的第一RF信号并且分成通过所述第二输出向所述第二放大路径提供的第二RF信号；以及

组合节点，所述组合节点被配置成接收和组合由所述第一放大路径和所述第二放大路径产生的经放大RF信号。