[发明专利]半导体器件沟道的制作方法、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件沟道的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成第一外延层；

分别在所述半导体衬底的第一区域和第二区域对应的所述第一外延层上形成第二外延层和第三外延层，所述第二外延层的高度大于所述第三外延层的高度；

在所述第二外延层和所述第三外延层上形成第四外延层；

在所述第四外延层上形成第一保护层；

在所述第一区域和第二区域分别形成第一柱状叠层结构；

其中，分别在所述第一区域和第二区域对应的所述第一外延层上形成第二外延层和第三外延层的步骤包括：

在所述第二区域的第一外延层上形成硬掩层；

以所述硬掩层为掩膜，在所述第一区域的第一外延层上外延生长第二外延层；

去除所述第二区域的硬掩层；

在所述第二区域的第一外延层上外延生长第三外延层，

所述第二外延层和所述第三外延层提供晶体管的沟道。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一外延层和第四外延层分别形成晶体管的源区和漏区。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二外延层的高度为所述第三外延层高度的2～10倍。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二区域的第一外延层上形成硬掩层的步骤包括：

在所述第一外延层上形成硬掩层；

去除所述第一区域的硬掩层。

5.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成第一外延层；

分别在所述半导体衬底的第一区域和第二区域对应的所述第一外延层上形成第二外延层和第三外延层，所述第二外延层的高度大于所述第三外延层的高度；

在所述第二外延层和所述第三外延层上形成第四外延层；

在所述第四外延层上形成第一保护层；

在所述第一区域和第二区域分别形成第一柱状叠层结构；

在所述衬底表面和所述柱状叠层结构的表面形成栅极介质层；

在所述栅极介质层上形成保护层，牺牲层，保护层结构；

形成由所述保护层，牺牲层，保护层围绕所述第一柱状叠层结构的第二叠层结构；

去除所述牺牲层，暴露出所述半导体器件的沟道，并形成栅极区域，

其中，分别在所述第一区域和第二区域对应的所述第一外延层上形成第二外延层和第三外延层的步骤包括：

在所述第二区域的第一外延层上形成硬掩层；

以所述硬掩层为掩膜，在所述第一区域的第一外延层上外延生长第二外延层；

去除所述第二区域的硬掩层；

在所述第二区域的第一外延层上外延生长第三外延层，

所述第一外延层和第四外延层分别形成晶体管的源区和漏区，所述第二外延层和所述第三外延层提供晶体管的沟道。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第二外延层的高度为所述第三外延层高度的2～10倍。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第二区域的第一外延层上形成硬掩层的步骤包括：

在所述第一外延层上形成硬掩层；

去除所述第一区域的硬掩层。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第一区域和第二区域分别形成第一柱状叠层结构的步骤包括：

在所述第一保护层上形成硬掩层；

在所述硬掩层上形成材料层；

在所述材料层上形成图案化的光致抗蚀剂层；

以所述光致抗蚀剂层为掩膜对所述硬掩层进行蚀刻；

以蚀刻后的硬掩层为掩膜对半导体结构进行蚀刻，在所述第一区域和第二区域分别形成第一柱状叠层结构。

9.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一柱状叠层结构的横截面形状包括：圆形、三角形、四边形。