[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：所述阵列基板包括电容区和显示区，所述显示区包括RGB显示区，所述阵列基板包括衬底，其中：

所述衬底与所述电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；

所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，其中至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

源漏极背离所述衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层，所述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

在与所述RGB显示区的部分，所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻；

所述显示区还包括W显示区，钝化层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

和/或，至少一层所述介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，

其中一层所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，其中一层所述介质层包括位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，

其中一层所述介质层包括位于所述源漏极和所述有源层之间的层间介质层，所述层间介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；其中，

其中一层所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

和/或，其中一层所述介质层包括位于所述栅极与所述有源层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管；其中，

所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，

所述介质层包括位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，

所述介质层包括位于所述源漏极和所述有源层之间的层间介质层，所述层间介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；其中，

所述介质层包括形成于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；和/或，

底栅结构TFT没有缓冲层，介质层有栅绝缘层、刻蚀阻挡层、钝化层

所述介质层包括位于所述有源层与所述栅极之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。

6.一种权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底与电容区相对的部位形成用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极；

其中，所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层，至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

源漏极背离所述衬底一侧依次形成钝化层和平坦化层，其中，所述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

在与所述RGB显示区的部分，所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻；

所述显示区还包括W显示区，钝化层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度；

和/或，至少一层所述介质层与所述W显示区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度。