[发明专利]半导体晶片划片装置及划片方法在审

申请号：	201910412105.0	申请日：	2019-05-17
公开（公告）号：	CN110190010A	公开（公告）日：	2019-08-30
发明（设计）人：	吴永胜;林新;汪雪琴	申请（专利权）人：	福建兆元光电有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/78;B23K26/38
代理公司：	福州元创专利商标代理有限公司 35100	代理人：	郭东亮;蔡学俊
地址：	350109 福建省福州市***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	半导体晶片划片晶片划片装置掩模图形刻划掩模激光晶片承载激光器模具激光入射方向顺序设置可透过切割承载穿过
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【权利要求书】：

1.半导体晶片划片装置，其特征在于：所述划片装置（10）包括激光器（15）和晶片模具；所述晶片模具包括在激光入射方向上顺序设置的划片掩模（13）、晶片和用于承载半导体晶片的晶片承载架（11）；所述划片掩模包括可透过激光的刻划区（133）和对激光阻断的阻断区（131）；所述刻划区与阻断区形成掩模图形；所述掩模图形包括半导体晶片的预计划分形状；当进行晶片划分时，激光器的激光穿过划片掩模的刻划区，按掩模图形对晶片承载架上的晶片进行切割。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片划片装置，其特征在于：所述阻断区以倍频材料对激光器激光进行阻断。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片划片装置，其特征在于：所述晶片承载架可移动，以使其承载的半导体晶片对齐划片掩模的掩模图形。

4.根据权利要求3所述的半导体晶片划片装置，其特征在于：所述划片装置还包括影像系统，所述影像系统用于使晶片上的预设定位点与掩模图形的图形定位点对齐。

5.根据权利要求3所述的半导体晶片划片装置，其特征在于：所述划片掩模的两侧端部以掩模支撑部（14）支撑；所述倍频材料为可防止激光透过的材料或是可改变激光频率的材料。

6.根据权利要求3所述的半导体晶片划片装置，其特征在于：所述划片掩模可通过在玻璃板（132）上形成用于阻断区的倍频材料层的方法而制造。

7.半导体晶片划片方法，其特征在于：权利要求4中所述的划片装置，其划分方法包括以下步骤；

A1、把晶片固定于晶片承载架处，移动晶片承载架，使半导体晶片对齐划片掩模的掩模图形；

A2、以影像系统对晶片模具进行观测，对晶片承载架进行调节，以使晶片上的既定标记点的标记形状与掩模图形处的对应定位点的标记形状重合实现精准定位，从而让掩模图形的刻划区对准晶片处预设的元件分离区域；

A3、以激光器的激光对划片掩模进行照射；

A4、穿过划片掩模的刻划区的激光入射于半导体晶片的元件分离区域，在该区域处形成刻痕，在半导体晶片上形成与刻划区相同形状的划线；

A5、移动激光器的照射区域，使激光完整扫描划片掩模，使划片掩模的全部掩模图形均接受激光照射，完成半导体切割。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片划片方法，其特征在于：在步骤A5中，激光器在划片掩模处的照射区域的移动方向包括X轴方向和Y轴方向。