[发明专利]一种功耗自动调节时域比较器在审

专利信息
申请号: 201910412273.X 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110266310A 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 谢良波;聂伟;杨小龙;王勇;何维;周牧;田增山 申请(专利权)人: 重庆邮电大学
主分类号: H03M1/00 分类号: H03M1/00;H03K5/24;H03M1/12;H03M1/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400065*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 时域比较器 功耗 与非门 比较控制信号 计数器 比较器电路 电平输出端 输入缓冲器 大小信息 反相输入 缓冲器链 输出端 正向 电路
【说明书】:

发明公开了一种功耗自动调节时域比较器,具体包括:比较控制信号、第一输入信号、第二输入信号、电平输出端、计数值输出端、第一与非门、第二与非门、正向输入缓冲器链、反相输入缓冲器链和计数器。本发明的时域比较器电路,不仅可以比较两个输入信号的相对大小,同时可提供两个输入信号的绝对大小信息;同时,该比较器电路的功耗可随两个输入信号的相对差值大小自动调节。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域,特别涉及一种功耗自动调节时域比较器。

背景技术

目前,主要的模拟/数字转换器(A/D Converter,ADC)主要有闪烁型ADC(FlashADC)、流水线型ADC(Pipeline ADC)、逐次逼近型ADC(SAR ADC)、Delta-Sigma ADC及混合结构ADC。其中,逐次逼近型ADC由于其具有低功耗、中等分辨率及中等转换速度等优点,特别适用于便携式设备、医疗电子、可穿戴设备、无线传感器等低功耗应用领域。比较器作为SARADC的核心模块之一,尤其是高精度、低功耗的比较器在应用市场上有着重要的应用前景。

传统的SAR ADC中,其比较器通常采用电压域的比较器,这种结构的比较器的功耗由对噪声要求最严格的比较周期决定,而在整个SAR转换周期中,比较器的功耗几乎保持恒定。因此,在对噪声要求不高的比较周期中,造成了较大的功耗浪费。

发明内容

基于此,本发明针对传统SAR ADC中电压域比较器功耗较高的问题,提供了一种功耗自动调节时域比较器。

本发明所述的一种功耗自动调节时域比较器,其特征在于,包括:比较控制信号、第一输入信号、第二输入信号、电平输出端、计数值输出端、第一与非门、第二与非门、正向输入缓冲器链、反相输入缓冲器链和计数器;其中:所述正向输入缓冲器链(B1)和所述反相输入缓冲器链(B2)均由N个二输入信号控制的缓冲器级联组成,N为正整数;其中:

所述二输入信号控制的缓冲器,含有:三个PMOS管:第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3);三个NMOS管:第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)和第三NMOS管(MN3);其中:

所述第一PMOS管(MP1)的源极及所述第三PMOS管(MP3)的源极与参考电源(VDD)耦接,所述第一PMOS管(MP1)的栅极与第一控制信号(Vp)耦接,所述第一PMOS管(MP1)的漏极与所述第二PMOS管(MP2)的源极耦接,所述第二PMOS管(MP2)的栅极及所述第一NMOS管(MN1)的栅极与所述二输入信号控制的缓冲器的输入端(in)耦接,所述第一NMOS管(MN1)的源极及所述第三NMOS管(MN3)的源极与地(Gnd)耦接,所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第三PMOS管(MP3)的栅极及所述第二NMOS管(MN2)的栅极耦接,所述第三PMOS管(MP3)的漏极及所述第二NMOS管(MN2)的漏极与所述二输入信号控制的缓冲器的输出端(out)耦接,所述第三NMOS管(MN3)的栅极与所述二输入信号控制的缓冲器的第二控制信号(Vn)耦接,所述第二NMOS管(MN2)的源极与所述第三NMOS管(MN3)的漏极耦接;

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