[发明专利]光学传输/接收电路在审
申请号: | 201910412279.7 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110504225A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | A·库尔洛姆布;R·科菲;J-M·里维雷 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/50 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电芯片 换能 衬底 表面齐平 光电设备 光学传输 接收电路 区域间隔 覆盖 申请 | ||
1.一种设备,包括:
包括顶表面的衬底;以及
第一光电芯片,位于所述衬底中,并具有与所述衬底的顶表面齐平的顶表面。
2.根据权利要求1所述的设备,包括覆盖所述衬底和所述第一光电芯片的盖。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖具有机械地被耦合到所述衬底的所述顶表面的平坦表面。
4.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖包括与所述第一光电芯片接触的电连接。
5.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖包括在所述第一光电芯片的第一光学换能区域上方的腔。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述腔被填充有透明材料。
7.根据权利要求5所述的设备,还包括第二光电芯片,所述第二光电芯片位于所述衬底中并且具有与所述衬底的所述顶表面齐平的顶表面,其中所述腔在所述第二光电芯片的第二光学换能区域上方延续。
8.根据权利要求5所述的设备,其中所述盖包括在所述第一光学换能区域上方的透明元件。
9.根据权利要求5所述的设备,还包括第二光电芯片,所述第二光电芯片具有与所述第一光学换能区域间隔开的第二光学换能区域,并且所述腔在所述第二光学换能区域上方延续。
10.根据权利要求2所述的设备,其中所述盖包括在所述第一光电芯片的第一光学换能区域上方的透明元件。
11.根据权利要求9所述的设备,其中所述透明元件在第二光学换能区域上方被延续。
12.根据权利要求10所述的设备,还包括护罩,所述护罩在所述第二换能区域上方部分地覆盖所述透明元件。
13.一种制造光电设备的方法,所述方法包括:
形成衬底,所述衬底具有从所述衬底的顶表面向内延伸的腔;以及
光电芯片,位于所述衬底的所述腔中,并且具有与所述衬底的所述顶表面齐平的顶表面。
14.根据权利要求13所述的方法,包括在所述衬底上包覆成型盖。
15.根据权利要求14所述的方法,包括在所述包覆成型之前布置与所述芯片接触的电连接。
16.根据权利要求13所述的方法,包括在所述包覆成型之前在所述芯片上布置透明元件。
17.一种设备,包括:
衬底;
第一光电芯片,位于衬底中并具有第一光学换能区域;
第二光电芯片,位于衬底中并具有第二光学换能区域;以及
盖,覆盖所述衬底以及所述第一光电芯片和所述第二光电芯片,其中所述盖包括直接位于所述第一光学换能区域和所述第二光学换能区域上方的腔。
18.根据权利要求17所述的设备,其中所述盖包括与所述芯片接触的电连接。
19.根据权利要求17所述的设备,还包括填充所述腔的透明元件。
20.根据权利要求10所述的设备,还包括护罩,所述护罩在所述第二换能区域上方部分地覆盖所述透明元件。
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