[发明专利]一种三维存储器结构的制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器结构的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤S1，制备一衬底；

步骤S2，于所述衬底上制备形成一逻辑电路层；

步骤S3，于所述逻辑电路层上制备形成一易失性存储层，所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；

步骤S4，于所述易失性存储层上制备形成一三维存储层，以形成所述三维存储器结构，所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；

采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；

每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成；

针对每个所述第一存储单元，所述读晶体管和所述写晶体管分别制备在不同的晶圆上，随后采用晶圆拼接的方式形成所述第一存储单元；

采用晶圆拼接形成的所述第一存储单元中，所述读晶体管和所述写晶体管在空间上上下垂直放置。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1和所述步骤S2中，在退火温度为450摄氏度以下的低温制备环境中制备形成所述衬底和所述逻辑电路层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，在退火温度为500-700摄氏度的中温制备环境下制备形成所述易失性存储层中的所述第一存储单元中的部分晶体管，以及在退火温度为450摄氏度以下的低温制备环境下制备形成所述易失性存储层中的所述第一存储单元中的剩余晶体管，随后采用晶圆拼接的方式拼接形成所述第一存储单元。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，在退火温度为600-850摄氏度的高温制备环境或者退火温度为500-700摄氏度的中温制备环境下制备形成所述三维存储层。