[发明专利]基片处理装置

说明书

本发明说明一种能够抑制臭氧的产生并且有效地处理基片的基片处理装置。基片处理装置包括：能够进行基片的处理的处理室；包含光源的光源室，其中该光源能够对基片的表面照射真空紫外光；能够对光源室内供给非活性气体的气体供给部；和控制部，其执行控制气体供给部以使得将光源室内维持为非活性气体气氛的处理。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及一种基片处理装置。

背景技术

专利文献1公开了一种微小图案的形成方法，其在半导体器件的制造中，进行如下步骤：在基片的表面形成抗蚀剂膜的步骤；将抗蚀剂膜曝光的步骤；将抗蚀剂膜图案化的步骤；对抗蚀剂图案的表面照射波长200nm下面的光的步骤；和将抗蚀剂图案作为掩模来对基片的表面进行蚀刻的步骤。对抗蚀剂图案照射波长200nm下面的光，由此能够改善抗蚀剂图案的表面的粗糙(凹凸)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001－127037号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明说明一种能够抑制臭氧的产生并有效地处理基片的基片处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

一个例示的实施方式的基片处理装置包括：能够进行基片的处理的处理室；包含光源的光源室，其中该光源能够对基片的表面照射真空紫外光；能够对光源室内供给非活性气体的气体供给部；和控制部，其执行控制气体供给部以使得将光源室内维持为非活性气体气氛的处理。

发明效果

根据一个例示的实施方式的基片处理装置，能够抑制臭氧的产生并有效地处理基片。

附图说明

图1是表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。

图2是从上方观察图1的基片处理装置的照明室内的图，是表示光通过窗未由开闭部件关闭的状态的图。

图3是从上方观察图1的基片处理装置的照明室内的图，是表示光通过窗由开闭部件关闭的状态的图。

图4是表示基片处理装置的框图。

图5是表示控制器的硬件构成的概略图。

图6是表示晶片的处理工序的一例的流程图。

图7是用于说明晶片的处理工序的一例的图。

图8是用于说明晶片的处理工序的一例的图。

图9是用于说明晶片的处理工序的一例的图。

图10是用于说明处理室内的压力随着处理的进展而变化的情况的图。

图11是从上方观察另一例的基片处理装置的照明室内的图。

图12是从上方观察另一例的基片处理装置的照明室内的图。

附图标记说明

1……基片处理装置，10……处理室，12……光源室，18……闸阀，20……气体供给部，22……真空泵(排气部)，28……开闭部件，32……光源，34……气体供给部，26b……贯通孔(流路)，Ctr……控制器(控制部)，V……空间(扁平空间)，W……晶片(基片)。

具体实施方式

下面，参照附图，对各种例示的实施方式进行详细的说明。在下面的说明中，对相同的要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

[基片处理装置的结构]