[发明专利]IGBT模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质在审
申请号: | 201910413578.2 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110044510A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 刘金虹;刘俊杰 | 申请(专利权)人: | 上海希形科技有限公司 |
主分类号: | G01K7/24 | 分类号: | G01K7/24 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭国中 |
地址: | 201100 上海市闵行区元江路359*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电连接 比较器 电源端口 测温电路 电容 信号地 计算机可读存储介质 参考电阻 测温 输出端电连接 反向输入端 同向输入端 电源端 接地端 漏极 源极 电路 | ||
1.一种IGBT模块测温电路,其特征在于,包括比较器U1、电源端口Vcc、电容C1、第一MOSFET管Q1以及参考电阻;
所述电源端口Vcc分别与第一节点、比较器U1的反向输入端电连接;所述电源端口Vcc还与比较器U1的电源端电连接;
除与电源端口Vcc电连接外,所述第一节点还分别与比较器U1的同向输入端、电容C1、第一MOSFET管Q1的源极电连接;
所述第一MOSFET管Q1的漏极与信号地电连接;所述第一MOSFET管Q1的栅极与比较器U1的输出端电连接;
所述电容C1一端与第一节点电连接,另一端与信号地电连接;
所述比较器U1的接地端与信号地电连接;
所述参考电阻设置在所述IGBT模块测温电路的设定位置。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述IGBT模块测温电路还包括IGBT模块待测温元件;所述IGBT模块待测温元件设置在电源端口Vcc和第一节点之间,包括热敏电阻。
3.根据权利要求2所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述第一节点和比较器U1的同向输入端之间还设置有第二节点;所述参考电阻包括标准电阻Rref;
所述标准电阻Rref设置在第一节点与第二节点之间;
所述电容C1一端依次通过第二节点、标准电阻Rref与第一节点电连接,另一端与信号地电连接。
4.根据权利要求3所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述参考电阻还包括第四电阻R4;所述比较器U1的输出端还通过第四电阻R4与电源端口Vcc电连接。
5.根据权利要求4所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述参考电阻还包括第一电阻R1;所述电源端口Vcc与比较器U1的反向输入端之间还设置有第三节点;所述第一电阻R1设置在电源端口Vcc与第三节点之间。
6.根据权利要求5所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述参考电阻还包括第二电阻R2;所述第三节点除分别与第一电阻R1、比较器U1的反向输入端电连接外,还通过第二电阻R2与信号地电连接。
7.根据权利要求6所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述IGBT模块测温电路还包括第二MOSFET管Q2;所述第二MOSFET管Q2的源极与第三节点电连接;所述第二MOSFET管Q2的漏极与信号地电连接;所述第二MOSFET管Q2的栅极与比较器U1的输出端电连接。
8.根据权利要求7所述的IGBT模块测温电路,其特征在于,所述参考电阻还包括第三电阻R3;所述第三电阻R3设置在第三节点和第二MOSFET管Q2的源极之间。
9.一种IGBT模块测温方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:测量电容C1的充电时间TH;
步骤2:测量电容C1的放电时间TL;
步骤3:计算TH/TL,并根据TH/TL,查看设定的温度表格,获得对应的温度值。
10.一种存储有计算机程序的计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求9所述的IGBT模块测温方法的步骤。
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