[发明专利]一种晶体管的衬底切换电路和电平转换电路

权利要求书

1.一种晶体管的衬底切换电路，其特征在于，所述衬底切换电路的第一输入端与所述晶体管的第一端相连，所述衬底切换电路的第二输入端与所述晶体管的第二端相连，所述衬底切换电路的输出端与所述晶体管的衬底相连；

所述衬底切换电路用于将所述晶体管的第一端和第二端中的电压最大者传输至所述晶体管的衬底；

所述衬底切换电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；

所述第一晶体管的栅极与所述第一输入端相连，所述第一晶体管的第一端和所述第一晶体管的衬底与所述输出端相连，所述第一晶体管的第二端与所述第二晶体管的第一端相连；

所述第二晶体管的栅极与所述第一输入端相连，所述第二晶体管的第二端与所述第二输入端相连，所述第二晶体管的衬底与所述输出端相连；

所述第三晶体管的栅极与所述第一输入端相连，所述第三晶体管的第一端与所述第二输入端相连，所述第三晶体管的第二端与所述第一晶体管的第二端相连，所述第三晶体管的衬底与接地端相连；

所述第四晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二端相连，所述第四晶体管的第一端与所述第一输入端相连，所述第四晶体管的衬底和所述第四晶体管的第二端与所述输出端相连。

2.根据权利要求1所述的衬底切换电路，其特征在于，所述第三晶体管为NMOS晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第四晶体管为PMOS晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的衬底切换电路，其特征在于，所述衬底切换电路还包括二极管；

所述二极管的正极与所述第一输入端相连，所述二极管的负极与所述输出端相连。

4.根据权利要求3所述的衬底切换电路，其特征在于，所述衬底切换电路还包括第五晶体管；

所述第五晶体管的第一端与所述第一输入端相连，所述第五晶体管的栅极、所述第五晶体管的第二端和所述第五晶体管的衬底与所述输出端相连。

5.根据权利要求4所述的衬底切换电路，其特征在于，所述衬底切换电路还包括位于所述第一输入端和所述第三晶体管之间的反相器组；

所述反相器组包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一输入端相连，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端相连，所述第二反相器的输出端与所述第三晶体管的栅极相连。

6.根据权利要求5所述的衬底切换电路，其特征在于，所述衬底切换电路还包括位于所述第一输入端和所述第一反相器之间的第六晶体管和第七晶体管；

所述第六晶体管的第一端和所述第六晶体管的衬底与所述第一输入端相连，所述第六晶体管的第二端与所述第一反相器的输入端相连，所述第六晶体管的栅极与所述第七晶体管的栅极相连；

所述第七晶体管的第一端与所述第七晶体管的栅极相连，所述第七晶体管的第二端和所述第七晶体管的衬底与接地端相连。

7.根据权利要求6所述的衬底切换电路，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管为PMOS晶体管，所述第七晶体管为NMOS晶体管。

8.一种电平转换电路，其特征在于，包括信号传输管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、与所述第一上拉晶体管相连的第一衬底切换电路和与所述第二上拉晶体管相连的第二衬底切换电路；

所述第一上拉晶体管的第一端与第一电源端相连，所述第一上拉晶体管的第二端与所述信号传输管的第一端相连；所述第二上拉晶体管的第一端与第二电源端相连，所述第二上拉晶体管的第二端与所述信号传输管的第二端相连；

所述第一衬底切换电路和所述第二衬底切换电路为权利要求1～7任一项所述的衬底切换电路。

9.根据权利要求8所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管为PMOS晶体管。