[发明专利]一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器有效
| 申请号： | 201910414019.3 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110148648B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张雄;陆亮;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 朱欣欣 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掺杂 al 组分 渐变 分离 紫外 探测器 | ||
1.一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底(101)、AlN中间层(102)、非掺杂i-Alx1Ga1-x1N缓冲层(103)、n型n-Alx2Ga1-x2N层(104)、非掺杂i-Alx3Ga1-x3N吸收层(105)、双掺杂Al组分渐变p-Alx4Ga1-x4N/i-Alx5Ga1-x5N/n-Alx6Ga1-x6N分离层(106)、非掺杂i-Alx7Ga1-x7N倍增层(107)、p型p-Alx8Ga1-x8N层(108)以及p型GaN层(109)；在n型n-Alx1Ga1-x1N层(104)上引出n型欧姆电极(110)，在p型GaN层(109)上引出p型欧姆电极(111)，其中x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8满足x1x2=x3=x4x5x6=x7x8。
2.根据权利要求1所述的一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，其特征在于：所述衬底(101)为可外延生长出极性、半极性GaN基材料的蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，其特征在于：所述AlN中间层(102)的厚度为5-5000 nm，非掺杂i-Alx1Ga1-x1N缓冲层(103)的厚度为50-5000 nm，n型n-Alx2Ga1-x2N层(104)的厚度为200-5000 nm，非掺杂i-Alx3Ga1-x3N吸收层(105)的厚度为100-250 nm，非掺杂i-Alx7Ga1-x7N倍增层(107)的厚度为100-250 nm，p型p-Alx8Ga1-x8N层(108)的厚度为100-200 nm，p型GaN层(109)的厚度为50-100 nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，其特征在于：所述双掺杂Al组分渐变p-Alx4Ga1-x4N/i-Alx5Ga1-x5N/n-Alx6Ga1-x6N分离层(106)包括从下到上依次进行设置的p型掺杂p-Alx4Ga1-x4N层(1061)、非掺杂i-Alx5Ga1-x5N层(1062)以及n型掺杂n-Alx6Ga1-x6N层(1063)；p型掺杂层(1061)与非掺杂i-Alx5Ga1-x5N层(1062)的交界处设有第一Al组分渐变层（1064），并且Al组分为渐变方式进行生长；非掺杂i-Alx5Ga1-x5N层（1062)与n型掺杂n-Alx6Ga1-x6N层（1063)的交界处设有第二A1组分渐变层（1065)，
并且Al组分为渐变方式进行生长。
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