[发明专利]一种巨介电薄膜晶体管

权利要求书

1.一种巨介电薄膜晶体管,其特征在于：设置有栅极和半导体以及位于栅极和半导体层之间的栅绝缘层；

所述栅绝缘层采用巨介电材料作为栅绝缘层；

巨介电材料处于陶瓷块状态时，在频率1kHz下相对介电常数大于10000，巨介电材料处于薄膜状态时，在1kHz下相对介电常数大于500；

所述巨介电材料为非铁电陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述巨介电材料为CaCu₃Ti₄O₁₂或者CaCu₃Ti₄O₁₂的改性材料；或者

所述巨介电材料为A(Fe_1/2G_1/2)O₃，其中A为Ba、Sr、Ca或者Pb，G为Nb、Ta或者Sb；或者

所述巨介电材料为(M，N)-掺杂NiO，其中M为Li、Na或者K，N为Ti、Al、Si或者Ta；或者

所述巨介电材料为BaTi_1-x(Ni_1/2W_1/2)_xO₃；或者

所述巨介电材料为(D_1/2,E_1/2)_xTi_1-xO₂或者(D_1/2,E_1/2)_xTi_1-xO₂的改性材料，其中D为V、Nb或者Ta其中至少一种，E为B、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或者Lu其中至少一种；或者

所述巨介电材料为SrTiO₃晶界阻挡层材料。

3.根据权利要求2所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述栅绝缘层为巨介电材料在温度小于600℃下制备而成的巨介电材料薄膜。

4.根据权利要求3所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述巨介电材料与玻璃衬底温度兼容。

5.根据权利要求4所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述巨介电薄膜在频率在1kHz下相对介电常数大于500。

6.根据权利要求5所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述半导体为有机半导体。

7.根据权利要求6所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述半导体为非晶硅半导体或者多晶硅半导体。

8.根据权利要求6或者7所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述半导体为一维半导体或者二维半导体。

9.根据权利要求6或者7所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述半导体为III-V族半导体或者II-VI族半导体中。

10.根据权利要求5所述的巨介电薄膜晶体管,其特征在于：所述半导体为氧化物半导体；

所述氧化物半导体含有Zn、Sn、In、Cd或者Ga中的至少一种。