[发明专利]一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法

权利要求书

1.一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；

S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；

S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热-声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体；

其中，所述高温加热器产生的温度为1150℃，所述超声驻波的频率为30KHz，功率为300W。

2.根据权利要求1所述的一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，所述阵列微孔的尺寸参数包括孔径D、孔高H和孔距Ds，且满足以下条件：10＜H/D＜20，Ds＝5D。

3.根据权利要求1所述的一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，所述超声波换能器的布置满足以下条件：

根据硅基光子晶体内部缺陷的数量及排列位置，以确定超声换能器的数量及排列方式。

4.根据权利要求1所述的一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，所述内部缺陷为球形缺陷结构。

5.根据权利要求4所述的一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，所述超声驻波的波长为球形缺陷结构的空腔中心间的距离的整数倍，以使超声驻波作用节点位于球形缺陷结构的中心。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法，其特征在于，调节阵列微孔的尺寸参数，以得到不同缺陷结构规则排列的硅基三维光子晶体。