[发明专利]一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列及制备方法

权利要求书

1.一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列，包括金层(1)、钛层(2)、二硒化铂(3)、氧化层(4)、衬底(5)，其特征在于，

所述的场效应管的结构从上到下依次为：金层(1)、钛层(2)、二硒化铂(3)、氧化层(4)、衬底(5)，其中:

所述的金层(1)，为厚度45纳米的金电极；

所述的钛层(2)，为厚度为15纳米的接触金属；

所述的二硒化铂(3)，为图案化的二硒化铂半导体薄膜，其厚度为1.6-4.7纳米；

所述的氧化层(4)，为二氧化硅，厚度为285纳米；

所述的衬底(5)，为重掺杂的硅衬底。

2.根据权利要求1所述的基于二硒化铂半导体的场效应管阵列，其特征在于：所述的二硒化铂(3)制备方法步骤如下：

1)使用金属掩模版，结合离子束溅射的方法在氧化层(4)上溅射一层图案化的金属铂层，厚度为1.1至2.5纳米；

2)将溅射有铂的衬底倒扣在陶瓷舟里的硒粉上，铂与硒粉之间留有一定间距；

3)陶瓷舟随着管式炉升温，60分钟内将管式炉加热到650度，并保持10分钟；

4)将陶瓷舟快速拉出加热区域并降至常温；

5)再次将陶瓷舟加热至250度并保持20分钟；

6)结束后，再次将陶瓷舟快速拉出加热区域并降至常温，得到图案化的二硒化铂半导体薄膜，厚度为1.6至4.7纳米。

3.一种制备如根据权利要求1所述的基于二硒化铂半导体的场效应管阵列的方法，其特征在于步骤如下：

1)利用紫外光刻技术，结合热蒸发及剥离工艺制备场效应管的源极和漏极，电极的接触金属为钛(2)，从而形成背栅结构的二硒化铂半导体场效应管阵列；

2)单个场效应器件的沟道长度为5-12微米，宽度为100-180微米。