[发明专利]研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，包括：

抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；

判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；

若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；

若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。

2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，包括：

确定在所述抛光液中预设范围内研磨粒的平均粒径，将所述研磨粒的平均粒径作为所述粒径分布参数。

3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述预设的临界值。

4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述确定预设的临界值，包括：

每次利用所述抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；

根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。

5.根据权利要求4所述的研磨方法，其特征在于，所述根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值，包括：

当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；

根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。

6.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，包括：

将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液。

7.一种抛光液的评价方法，其特征在于，所述方法包括：

抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；

根据所述粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。

8.一种研磨装置，其特征在于，包括：

第一确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；

第一判断模块，用于判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；

第一执行模块，用于若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；

第二执行模块，用于若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。

9.一种抛光液的评价装置，其特征在于，包括：

第四确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；

第五确定模块，用于根据所述粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。

10.一种硅片，其特征在于，通过如权利要求1～6任一项所述的研磨方法研磨制成。