[发明专利]一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器有效
| 申请号： | 201910415264.6 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110112287B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 傅邱云;仲世豪;周令 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多铁异质 结交 偏置 效应 电写磁读 存储器 | ||
1.一种基于多铁异质交换偏置效应的电写磁读存储器，其特征在于，自下而上包括：
铁电单晶衬底；
设置在所述铁电单晶衬底表面的底电极层；所述底电极层采用的材料为SrRuO3；
设置在所述底电极层表面的多铁层；所述多铁层采用的材料为铁酸铋；
设置在所述多铁层表面的磁性固定层；所述磁性固定层采用的材料为铁酸钴或铁酸镍；
设置在所述磁性固定层表面的磁性绝缘层以及
设置在所述磁性绝缘层上的磁性自由层；
所述底电极层和所述多铁层之间还设置有掺杂多铁层；所述掺杂多铁层采用的材料为钛掺杂的BiFeO3。
2.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，所述底电极层表面还设置有引线层。
3.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，所述掺杂多铁层的厚度为20-30nm。
4.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，所述多铁层同时具有铁电性与反铁磁性。
5.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，所述多铁层的厚度为30-50nm。
6.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，所述磁性绝缘层采用的材料为非磁性材料，用于隔离所述磁性固定层和所述磁性自由层之间的磁相互作用。
7.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，磁性固定层的厚度为5-15nm。
8.如权利要求1所述的电写磁读存储器，其特征在于，所述磁性自由层采用的材料为MFe2O4，其为铁酸钴或铁酸镍；磁性自由层的厚度为5-15nm。
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