[发明专利]晶体管装置和具有谐波终止电路的放大器和其制造方法

权利要求书

1.一种具有第一放大路径的射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管管芯，所述晶体管管芯具有晶体管和晶体管输入端；

输入侧阻抗匹配电路，所述输入侧阻抗匹配电路耦合于所述晶体管输入端与所述第一放大路径的输入之间，其中所述输入侧阻抗匹配电路包括：

输入侧谐波终止电路，所述输入侧谐波终止电路包括串联连接于所述晶体管输入端与接地参考节点之间的第一电感元件和第一电容，其中所述第一电感元件包括第一多条键合线，并且所述输入侧谐波终止电路在所述RF放大器的操作基频的谐波频率下谐振，以及

第二电感元件和第二电容，所述第二电感元件和所述第二电容串联连接于所述晶体管输入端与所述接地参考节点之间，其中所述第二电感元件包括第二多条键合线，以及

第三电感元件，所述第三电感元件连接于所述第一放大路径的所述输入与所述第二电容之间，其中所述第三电感元件包括第三多条键合线。

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述晶体管是氮化镓晶体管。

3.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容是金属-绝缘体-金属电容器。

4.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，在所述输入侧谐波终止电路中，所述第一电感元件直接连接到所述第一电容。

5.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述输入侧谐波终止电路在所述操作基频的二次谐波频率下谐振。

6.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于：

第一电容值处于1皮法到100皮法的范围内；

所述第二电容的第二电容值处于5皮法到120皮法的范围内；

所述第一电感元件的电感值处于20皮亨到1毫微亨的范围内；并且

所述第二电感元件和所述第三电感元件的串联组合的电感值处于50皮亨到3毫微亨的范围内。

7.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，进一步包括：

视频带宽电路，所述视频带宽电路耦合到所述第二电感元件与所述第二电容之间的连接节点，其中所述视频带宽电路包括多个部件，其中所述多个部件包括串联耦合于所述连接节点与所述接地参考节点之间的包络电阻器、包络电感器和包络电容器。

8.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，进一步包括：

第二放大路径；

功率分配器，所述功率分配器具有被配置成接收RF信号的输入、耦合到所述第一放大路径的输入的第一输出以及耦合到所述第二放大路径的输入的第二输出，其中所述功率分配器被配置成将所述RF信号分成通过所述第一输出提供到所述第一放大路径的第一RF信号以及通过所述第二输出提供到所述第二放大路径的第二RF信号；以及

组合节点，所述组合节点被配置成接收和组合由所述第一放大路径和所述第二放大路径产生的放大后RF信号。